IRFP254N அறிமுகம்
மேம்பட்ட சார்ஜ் பேலன்ஸ் பொறிமுறையுடன் கூடிய புதிய தலைமுறை உயர் மின்னழுத்த MOSFET.
- சேனல்களின் எண்ணிக்கை: 1 சேனல்
- டிரான்சிஸ்டர் துருவமுனைப்பு: N-சேனல்
- வடிகால்-மூல முறிவு மின்னழுத்தம் (Vds): 250V
- தொடர்ச்சியான வடிகால் மின்னோட்டம் (ஐடி): 23A
- வடிகால்-மூல எதிர்ப்பு (Rds ஆன்): 125mOhms
- கேட்-சோர்ஸ் மின்னழுத்தம் (Vgs): 20V
- கேட் சார்ஜ் (க்யூஜி): 100 nC
- இயக்க வெப்பநிலை வரம்பு: -55 - 175°C
- மின் இழப்பு (Pd): 220W
சிறந்த அம்சங்கள்:
- மேம்பட்ட செயல்முறை தொழில்நுட்பம்
- டைனமிக் டிவி/டிடி மதிப்பீடு
- வேகமாக மாறுதல்
- முழுமையாக பனிச்சரிவு மதிப்பிடப்பட்டது
IRFP254N என்பது உயர் மின்னழுத்த MOSFET குடும்பத்தின் புதிய தலைமுறை ஆகும், இது சிறந்த குறைந்த ஆன்-ரெசிஸ்டன்ஸ் மற்றும் குறைந்த கேட் சார்ஜ் செயல்திறனை அடைய மேம்பட்ட சார்ஜ் பேலன்ஸ் பொறிமுறையைப் பயன்படுத்துகிறது. இந்த மேம்பட்ட தொழில்நுட்பம் கடத்தல் இழப்பைக் குறைக்கிறது, சிறந்த மாறுதல் செயல்திறனை வழங்குகிறது, மேலும் தீவிர dv/dt வீதத்தையும் அதிக பனிச்சரிவு ஆற்றலையும் தாங்கும்.
சிஸ்டம் மினியேட்டரைசேஷன் மற்றும் அதிக செயல்திறனுக்காக ஸ்விட்சிங் மோட் செயல்பாட்டில் பல்வேறு AC/DC பவர் கன்வெர்ஷன் பயன்பாடுகளுக்கு இது மிகவும் பொருத்தமானது. இணையான எளிமை மற்றும் எளிமையான டிரைவ் தேவைகளுடன், இந்த MOSFET தேவைப்படும் சூழல்களில் நம்பகமான செயல்திறனை வழங்குகிறது.
தொடர்புடைய ஆவணங்கள்: IRFP254N MOSFET தரவுத்தாள்
படங்கள் விளக்கத்திற்காக மட்டுமே; உண்மையான தயாரிப்பு மாறுபடலாம்.