IRF9630 MOSFET அறிமுகம்
மேம்பட்ட சார்ஜ் பேலன்ஸ் பொறிமுறையுடன் கூடிய புதிய தலைமுறை உயர் மின்னழுத்த MOSFET.
- சேனல்களின் எண்ணிக்கை: 1 சேனல்
- டிரான்சிஸ்டர் துருவமுனைப்பு: பி-சேனல்
- வடிகால்-மூல முறிவு மின்னழுத்தம் (Vds): -200V
- தொடர்ச்சியான வடிகால் மின்னோட்டம் (ஐடி): -6.5A
- வடிகால்-மூல எதிர்ப்பு (Rds ஆன்): 0.80 ஓம்ஸ்
- கேட்-சோர்ஸ் மின்னழுத்தம் (Vgs): 20V
- கேட் சார்ஜ் (க்யூஜி): 29 nC
- இயக்க வெப்பநிலை வரம்பு: -55 - 150°C
- மின் இழப்பு (Pd): 74W
சிறந்த அம்சங்கள்:
- டைனமிக் dV/dt மதிப்பீடு
- 100% பனிச்சரிவு மதிப்பிடப்பட்டது
- வேகமாக மாறுதல்
- இணையாகச் சேர்ப்பது எளிது
IRF9630 என்பது புதிய தலைமுறை உயர் மின்னழுத்த MOSFETகளின் ஒரு பகுதியாகும், இது மேம்பட்ட சார்ஜ் பேலன்ஸ் பொறிமுறையைப் பயன்படுத்தி சிறந்த குறைந்த ஆன்-ரெசிஸ்டன்ஸ் மற்றும் குறைந்த கேட் சார்ஜ் செயல்திறனை அடைகிறது. இந்த தொழில்நுட்பம் கடத்தல் இழப்பைக் குறைக்கிறது, சிறந்த ஸ்விட்சிங் செயல்திறனை வழங்குகிறது, மேலும் தீவிர dv/dt விகிதங்கள் மற்றும் அதிக பனிச்சரிவு ஆற்றலைத் தாங்கும். ஸ்விட்சிங் பயன்முறை செயல்பாட்டில் பல்வேறு AC/DC பவர் கன்வெர்ஷன் பயன்பாடுகளுக்கு இது சிறந்தது, இது சிஸ்டம் மினியேட்டரைசேஷன் மற்றும் அதிக செயல்திறனை செயல்படுத்துகிறது.
IRF9630 MOSFET என்பது -200V வடிகால்-மூல முறிவு மின்னழுத்தம், -6.5A தொடர்ச்சியான வடிகால் மின்னோட்டம் மற்றும் 0.80 ஓம்ஸ் வடிகால்-மூல எதிர்ப்பைக் கொண்ட ஒரு P-சேனல் டிரான்சிஸ்டர் ஆகும். 20V கேட்-மூல மின்னழுத்தம், 29 nC கேட் சார்ஜ் மற்றும் -55 முதல் 150°C வரை இயக்க வெப்பநிலை வரம்பைக் கொண்டு, இது 74W மின் சிதறலை வழங்குகிறது.
மேலும் விரிவான தகவலுக்கு, IRF9630 MOSFET தரவுத்தாள் பார்க்கவும்.
* படங்கள் விளக்கத்திற்காக மட்டுமே; உண்மையான தயாரிப்பு மாறுபடலாம்.