×
IRF540 பவர் MOSFET
வேகமான மாறுதல், கரடுமுரடான வடிவமைப்பு, குறைந்த எதிர்ப்பு மற்றும் செலவு குறைந்த
- சேனல்களின் எண்ணிக்கை: 1 சேனல்
- டிரான்சிஸ்டர் துருவமுனைப்பு: N-சேனல்
- வடிகால்-மூல முறிவு மின்னழுத்தம் (Vds): 100V
- தொடர்ச்சியான வடிகால் மின்னோட்டம் (ஐடி): 33A
- வடிகால்-மூல எதிர்ப்பு (Rds ஆன்): 44mOhms
- கேட்-சோர்ஸ் மின்னழுத்தம் (Vgs): 20V
- கேட் சார்ஜ் (க்யூஜி): 71 என்சி
- இயக்க வெப்பநிலை வரம்பு: -55 - 175°C
- மின் இழப்பு (Pd): 130W
சிறந்த அம்சங்கள்
- டைனமிக் dV/dt மதிப்பீடு
- மீண்டும் மீண்டும் ஏற்படும் பனிச்சரிவு மதிப்பிடப்பட்டது
- வேகமாக மாறுதல்
- இணையாகச் சேர்ப்பது எளிது
IRF540 மூன்றாம் தலைமுறை மின் MOSFETகள் வேகமான மாறுதல், கரடுமுரடான வடிவமைப்பு, குறைந்த எதிர்ப்பு மற்றும் செலவு-செயல்திறன் ஆகியவற்றின் சிறந்த கலவையை வழங்குகின்றன. TO-220AB தொகுப்பு தோராயமாக 50W வரை மின் சிதறல் நிலைகளைக் கொண்ட வணிக-தொழில்துறை பயன்பாடுகளுக்கு ஏற்றது.
RoHS உத்தரவு 2002/95/EC க்கு இணங்க, இந்த MOSFETகள் எளிமையான இயக்கி தேவைகளைக் கொண்டுள்ளன, இதனால் பல்வேறு பயன்பாடுகளில் அவற்றைப் பயன்படுத்த எளிதானது.
மேலும் விவரங்களுக்கு அல்லது மொத்த விலை நிர்ணயத்திற்கு, எங்கள் விற்பனைக் குழுவை நேரடியாக sales02@thansiv.com என்ற மின்னஞ்சல் முகவரியில் தொடர்பு கொள்ளவும் அல்லது +91-8095406416 என்ற எண்ணை அழைக்கவும்.
படங்கள் விளக்கத்திற்காக மட்டுமே; உண்மையான தயாரிப்பு மாறுபடலாம்.