×
IRF530 மூன்றாம் தலைமுறை மின் MOSFET
வேகமான மாறுதல், கரடுமுரடான வடிவமைப்பு, குறைந்த எதிர்ப்பு மற்றும் செலவு குறைந்த
- சேனல்களின் எண்ணிக்கை: 1 சேனல்
- டிரான்சிஸ்டர் துருவமுனைப்பு: N-சேனல்
- வடிகால்-மூல முறிவு மின்னழுத்தம் (Vds): 100V
- தொடர்ச்சியான வடிகால் மின்னோட்டம் (ஐடி): 17A
- வடிகால்-மூல எதிர்ப்பு (Rds ஆன்): 90mOhms
- கேட்-சோர்ஸ் மின்னழுத்தம் (Vgs): 20V
- கேட் சார்ஜ் (க்யூஜி): 37 nC
- இயக்க வெப்பநிலை வரம்பு: -55 - 175°C
- மின் இழப்பு (Pd): 70W
அம்சங்கள்:
- டைனமிக் dV/dt மதிப்பீடு
- மீண்டும் மீண்டும் ஏற்படும் பனிச்சரிவு மதிப்பிடப்பட்டது
- வேகமாக மாறுதல்
- இணையாகச் சேர்ப்பது எளிது
IRF530 மூன்றாம் தலைமுறை மின் MOSFETகள், வடிவமைப்பாளருக்கு வேகமான மாறுதல், கரடுமுரடான சாதன வடிவமைப்பு, குறைந்த எதிர்ப்பு மற்றும் செலவு-செயல்திறன் ஆகியவற்றின் சிறந்த கலவையை வழங்குகின்றன. TO-220AB தொகுப்பு தோராயமாக 50 W வரை மின் சிதறல் நிலைகளில் அனைத்து வணிக-தொழில்துறை பயன்பாடுகளுக்கும் உலகளவில் விரும்பப்படுகிறது.
RoHS உத்தரவு 2002/95/EC க்கு இணங்குகிறது.
தொடர்புடைய ஆவணங்கள்: IRF530 MOSFET தரவுத்தாள்
படங்கள் விளக்கத்திற்காக மட்டுமே; உண்மையான தயாரிப்பு மாறுபடலாம்.