×
IRF3710 பவர் MOSFET
பல்வேறு பயன்பாடுகளுக்கான திறமையான மற்றும் நம்பகமான மின்சார MOSFET
- சேனல்களின் எண்ணிக்கை: 1 சேனல்
- டிரான்சிஸ்டர் துருவமுனைப்பு: N-சேனல்
- வடிகால்-மூல முறிவு மின்னழுத்தம் (Vds): 100V
- தொடர்ச்சியான வடிகால் மின்னோட்டம் (ஐடி): 57A
- வடிகால்-மூல எதிர்ப்பு (Rds ஆன்): 23mOhms
- கேட்-சோர்ஸ் மின்னழுத்தம் (Vgs): 20V
- கேட் சார்ஜ் (க்யூஜி): 130 என்சி
- இயக்க வெப்பநிலை வரம்பு: -55 - 175°C
- மின் இழப்பு (Pd): 200W
அம்சங்கள்:
- மேம்பட்ட செயல்முறை தொழில்நுட்பம்
- மிகக் குறைந்த எதிர்ப்பு
- டைனமிக் டிவி/டிடி மதிப்பீடு
- வேகமாக மாறுதல்
IRF3710 போன்ற மேம்பட்ட HEXFET® பவர் MOSFETகள், சிலிக்கானின் ஒரு யூனிட் பகுதிக்கு குறிப்பிடத்தக்க வகையில் குறைந்த ஆன்-ரெசிஸ்டன்ஸை அடைய அதிநவீன நுட்பங்களைப் பயன்படுத்துகின்றன. அவற்றின் வேகமான மாறுதல் வேகம் மற்றும் கரடுமுரடான வடிவமைப்புடன் இணைக்கப்பட்ட இந்த பவர் MOSFETகள், பரந்த அளவிலான பயன்பாடுகளுக்கு அதிக செயல்திறன் மற்றும் நம்பகத்தன்மையை வழங்குகின்றன.
கூடுதல் விவரங்கள் தேவையா அல்லது மொத்த விலை நிர்ணயத்தில் ஆர்வமா? எங்கள் விற்பனைக் குழுவை நேரடியாகத் தொடர்பு கொள்ளவும் - sales02@thansiv.com +91-8095406416
*படங்கள் விளக்கத்திற்காக மட்டுமே; உண்மையான தயாரிப்பு மாறுபடலாம்.