×
ஐஆர்எஃப்1407
குறிப்பாக வாகன பயன்பாடுகளுக்காக வடிவமைக்கப்பட்ட IRF1407 HEXFET பவர் MOSFET குறைந்த எதிர்ப்பு மற்றும் அதிக செயல்திறனை வழங்குகிறது.
- சேனல்களின் எண்ணிக்கை: 1 சேனல்
- டிரான்சிஸ்டர் துருவமுனைப்பு: N-சேனல்
- வடிகால்-மூல முறிவு மின்னழுத்தம் (Vds): 75V
- தொடர்ச்சியான வடிகால் மின்னோட்டம் (ஐடி): 130A
- வடிகால்-மூல எதிர்ப்பு (Rds ஆன்): 7.8mOhms
- கேட்-சோர்ஸ் மின்னழுத்தம் (Vgs): 20V
- கேட் சார்ஜ் (க்யூஜி): 250 nC
- இயக்க வெப்பநிலை வரம்பு: -55 - 175°C
- மின் இழப்பு (Pd): 330W
அம்சங்கள்:
- மேம்பட்ட செயல்முறை தொழில்நுட்பம்
- மிகக் குறைந்த எதிர்ப்பு
- டைனமிக் டிவி/டிடி மதிப்பீடு
- வேகமாக மாறுதல்
குறிப்பாக ஆட்டோமொடிவ் பயன்பாடுகளுக்காக வடிவமைக்கப்பட்ட, HEXFET® பவர் MOSFETகளின் இந்த ஸ்ட்ரைப் பிளானர் வடிவமைப்பு, ஒரு சிலிக்கான் பகுதிக்கு மிகக் குறைந்த ஆன்-ரெசிஸ்டன்ஸை அடைய சமீபத்திய செயலாக்க நுட்பங்களைப் பயன்படுத்துகிறது. இந்த HEXFET பவர் MOSFET இன் கூடுதல் அம்சங்கள் 175°C சந்திப்பு இயக்க வெப்பநிலை, வேகமான மாறுதல் வேகம் மற்றும் மேம்படுத்தப்பட்ட மீண்டும் மீண்டும் வரும் பனிச்சரிவு மதிப்பீடு ஆகும். இந்த நன்மைகள் ஒன்றிணைந்து இந்த வடிவமைப்பை ஆட்டோமொடிவ் பயன்பாடுகள் மற்றும் பல்வேறு வகையான பிற பயன்பாடுகளில் பயன்படுத்த மிகவும் திறமையான மற்றும் நம்பகமான சாதனமாக மாற்றுகின்றன.
தொடர்புடைய ஆவணங்கள்: IRF1407 MOSFET தரவுத்தாள்
*படங்கள் விளக்கத்திற்காக மட்டுமே; உண்மையான தயாரிப்பு மாறுபடலாம்.