×
BD680 பற்றி
குறைந்த சிதைவு நிரப்பு வடிவமைப்புகளுக்கான மூன்று அடுக்கு PNP சாதனம்.
- டிரான்சிஸ்டர் துருவமுனைப்பு: PNP
- கலெக்டர்-எமிட்டர் மின்னழுத்தம் (VCEO): 80V
- கலெக்டர்-பேஸ் மின்னழுத்தம் (VCBO): 80V
- உமிழ்ப்பான்-அடிப்படை மின்னழுத்தம் (VEBO): 5V
- தொடர்ச்சியான சேகரிப்பான் மின்னோட்டம் (Ic): 4A
- தொடர்ச்சியான அடிப்படை மின்னோட்டம் (Ib): 0.1A
- இயக்க வெப்பநிலை வரம்பு: -65 - 150°C
- மின் இழப்பு (Pd): 40W
- DC மின்னோட்ட ஈட்டம் (hFE): 750
அம்சங்கள்:
- குறைந்த செறிவு மின்னழுத்தம்
- எளிய இயக்கி தேவைகள்
- உயர் பாதுகாப்பான இயக்கப் பகுதி
- குறைந்த சிதைவு நிரப்பு வடிவமைப்புகளுக்கு
BD680 என்பது மூன்று அடுக்கு PNP சாதனமாகும், இதில் சேகரிப்பான் மின்னோட்டம் IC என்பது அடிப்படை மின்னோட்டம் IB இன் செயல்பாடாகும். அடிப்படை மின்னோட்டத்தில் ஏற்படும் மாற்றம் கொடுக்கப்பட்ட சேகரிப்பான்-உமிழ்ப்பான் மின்னழுத்த VCE க்கான சேகரிப்பான் மின்னோட்டத்தில் தொடர்புடைய பெருக்கப்பட்ட மாற்றத்தை ஏற்படுத்துகிறது.
எடுத்துச் செல்லவும் கையாளவும் எளிதாக இருக்கும் BD680, செயல்திறன் மற்றும் செயல்திறனைக் கருத்தில் கொண்டு வடிவமைக்கப்பட்டுள்ளது.
மேலும் விவரங்களுக்கு அல்லது மொத்த விலை நிர்ணயத்திற்கு, எங்கள் விற்பனைக் குழுவை நேரடியாக sales02@thansiv.com என்ற மின்னஞ்சல் முகவரியில் தொடர்பு கொள்ளவும் அல்லது +91-8095406416 என்ற எண்ணை அழைக்கவும்.
*படங்கள் விளக்கத்திற்காக மட்டுமே; உண்மையான தயாரிப்பு மாறுபடலாம்.