×
2N7000 விலை
உயர் செல் அடர்த்தி DMOS தொழில்நுட்பத்துடன் கூடிய N-சேனல் மேம்பாட்டு முறை புல விளைவு டிரான்சிஸ்டர்கள்.
- சேனல்களின் எண்ணிக்கை: 1 சேனல்
- டிரான்சிஸ்டர் துருவமுனைப்பு: N-சேனல்
- வடிகால்-மூல முறிவு மின்னழுத்தம் (Vds): 60V
- தொடர்ச்சியான வடிகால் மின்னோட்டம் (ஐடி): 200mA
- வடிகால்-மூல எதிர்ப்பு (Rds ஆன்): 5ஓம்ஸ்
- கேட்-சோர்ஸ் மின்னழுத்தம் (Vgs): 20V
- உள்ளமைவு: ஒற்றை
- இயக்க வெப்பநிலை வரம்பு: -55 - 150°C
- மின் இழப்பு (Pd): 400mW
அம்சங்கள்:
- குறைந்த RDS(ON)-க்கான உயர் அடர்த்தி செல் வடிவமைப்பு
- மின்னழுத்தக் கட்டுப்பாட்டு சிறிய சிக்னல் சுவிட்ச்
- உறுதியானது மற்றும் நம்பகமானது
- அதிக செறிவு மின்னோட்ட திறன்
2N7000 ஆனது, நிலையான, நம்பகமான மற்றும் வேகமான மாறுதல் செயல்திறனை வழங்குவதோடு, நிலையிலேயே இருக்கும் எதிர்ப்பைக் குறைக்கும் வகையில் வடிவமைக்கப்பட்டுள்ளது. இது 400 mA DC வரை தேவைப்படும் பயன்பாடுகளில் பயன்படுத்தப்படலாம் மற்றும் 2A வரை துடிப்புள்ள மின்னோட்டங்களை வழங்க முடியும். குறிப்பாக குறைந்த மின்னழுத்தம், சிறிய சர்வோ மோட்டார் கட்டுப்பாடு, பவர் MOSFET கேட் டிரைவர்கள் மற்றும் பிற மாறுதல் பயன்பாடுகள் போன்ற குறைந்த மின்னோட்ட பயன்பாடுகளுக்கு ஏற்றது.
மேலும் விவரங்களுக்கு அல்லது மொத்த விலை நிர்ணயத்திற்கு, எங்கள் விற்பனைக் குழுவை நேரடியாக sales02@thansiv.com அல்லது +91-8095406416 என்ற மின்னஞ்சல் முகவரியில் தொடர்பு கொள்ளவும்.
படங்கள் விளக்கத்திற்காக மட்டுமே; உண்மையான தயாரிப்பு மாறுபடலாம்.