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P55NF06 पावर MOSFETs
पृथक DCDC कन्वर्टर्स के लिए उच्च दक्षता वाले MOSFETs
- चैनलों की संख्या: 1 चैनल
- ट्रांजिस्टर ध्रुवता: एन-चैनल
- ड्रेन-सोर्स ब्रेकडाउन वोल्टेज (Vds): 60V
- निरंतर ड्रेन करंट (आईडी): 50A
- ड्रेन-सोर्स प्रतिरोध (Rds ऑन): 0.018Ohms
- गेट-सोर्स वोल्टेज (Vgs): 20V
- गेट चार्ज (Qg): 60 nC
- ऑपरेटिंग तापमान रेंज: -55 से 175°C
- बिजली अपव्यय (पीडी): 110W
शीर्ष विशेषताएं:
- न्यूनतम इनपुट कैपेसिटेंस के लिए STripFET तकनीक
- 100% हिमस्खलन परीक्षण किया गया
- अनुप्रयोग-उन्मुख लक्षण वर्णन
- स्विचिंग अनुप्रयोगों के लिए उपयुक्त
STMicroelectronics द्वारा अद्वितीय STripFET प्रक्रिया का उपयोग करके विकसित P55NF06 पावर MOSFETs, दूरसंचार, कंप्यूटर और निम्न गेट चार्ज ड्राइविंग अनुप्रयोगों में उन्नत उच्च दक्षता वाले पृथक DCDC कन्वर्टर्स में प्राथमिक स्विच के रूप में उपयोग के लिए आदर्श हैं।
अधिक जानकारी या थोक मूल्य निर्धारण के लिए, हमारी बिक्री टीम से सीधे sales02@thansiv.com या +91-8095406416 पर संपर्क करें।
चित्र केवल चित्रण के लिए हैं; वास्तविक उत्पाद भिन्न हो सकता है।