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IRFP4568 पावर MOSFET
कम ऑन-प्रतिरोध और उच्च दक्षता के साथ उन्नत पावर MOSFET
- चैनलों की संख्या: 1 चैनल
- ट्रांजिस्टर ध्रुवता: एन-चैनल
- ड्रेन-सोर्स ब्रेकडाउन वोल्टेज (Vds): 150V
- निरंतर ड्रेन करंट (आईडी): 171A
- ड्रेन-सोर्स प्रतिरोध (Rds ऑन): 5.9mOhms
- गेट-सोर्स वोल्टेज (Vgs): 30V
- गेट चार्ज (Qg): 227 nC
- ऑपरेटिंग तापमान रेंज: -55 - 175°C
- बिजली अपव्यय (पीडी): 517W
शीर्ष विशेषताएं:
- उन्नत प्लानर प्रौद्योगिकी
- अल्ट्रा लो ऑन-रेसिस्टेंस
- गतिशील dv/dt रेटिंग
- तेज़ स्विचिंग
IRFP4568 पावर MOSFET प्रति सिलिकॉन क्षेत्र में अत्यंत कम ऑन-प्रतिरोध प्राप्त करने के लिए नवीनतम प्रसंस्करण तकनीकों का उपयोग करता है। इस डिज़ाइन की अतिरिक्त विशेषताएँ 175°C जंक्शन ऑपरेटिंग तापमान, तेज़ स्विचिंग गति और बेहतर दोहरावदार हिमस्खलन रेटिंग हैं। ये विशेषताएँ मिलकर इस डिज़ाइन को ऑटोमोटिव अनुप्रयोगों और कई अन्य अनुप्रयोगों में उपयोग के लिए एक अत्यंत कुशल और विश्वसनीय उपकरण बनाती हैं।
संबंधित दस्तावेज़: IRFP4568 MOSFET डेटाशीट
चित्र केवल चित्रण के लिए हैं; वास्तविक उत्पाद भिन्न हो सकता है।