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IRFP350 उच्च वोल्टेज MOSFET
असाधारण प्रदर्शन के लिए उन्नत चार्ज संतुलन तंत्र के साथ नई पीढ़ी का MOSFET।
- चैनलों की संख्या: 1 चैनल
- ट्रांजिस्टर ध्रुवता: एन-चैनल
- ड्रेन-सोर्स ब्रेकडाउन वोल्टेज (Vds): 400V
- निरंतर ड्रेन करंट (आईडी): 16A
- ड्रेन-सोर्स प्रतिरोध (Rds ऑन): 300mOhms
- गेट-सोर्स वोल्टेज (Vgs): 30V
- गेट चार्ज (Qg): 150 nC
- ऑपरेटिंग तापमान रेंज: -55 से 150°C
- बिजली अपव्यय (पीडी): 190W
विशेषताएँ:
- एवलांच रग्ड टेक्नोलॉजी
- कम इनपुट कैपेसिटेंस
- विस्तारित सुरक्षित संचालन क्षेत्र
- निम्न रिसाव धारा: 10µA (अधिकतम) @ VDS = 400V
IRFP350 को स्विचिंग मोड ऑपरेशन में विभिन्न AC/DC पावर रूपांतरण अनुप्रयोगों के लिए डिज़ाइन किया गया है, जो न्यूनतम चालन हानि और बेहतर स्विचिंग प्रदर्शन प्रदान करता है। सिस्टम के लघुकरण और उच्च दक्षता के लिए अत्यधिक dv/dt दर और उच्च हिमस्खलन ऊर्जा का सामना कर सकता है।
अधिक जानकारी या थोक मूल्य निर्धारण के लिए, हमारी बिक्री टीम से सीधे sales02@thansiv.com पर संपर्क करें या +91-8095406416 पर कॉल करें।
चित्र केवल चित्रण के लिए हैं; वास्तविक उत्पाद भिन्न हो सकता है।