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IRFP2907 पावर MOSFET
ऑटोमोटिव अनुप्रयोगों के लिए डिज़ाइन किया गया
- चैनलों की संख्या: 1 चैनल
- ट्रांजिस्टर ध्रुवता: एन-चैनल
- ड्रेन-सोर्स ब्रेकडाउन वोल्टेज (Vds): 75V
- निरंतर ड्रेन करंट (आईडी): 209A
- ड्रेन-सोर्स प्रतिरोध (Rds ऑन): 4.5mOhms
- गेट-सोर्स वोल्टेज (Vgs): 20V
- गेट चार्ज (Qg): 620 nC
- ऑपरेटिंग तापमान रेंज: -55 से 175°C
- बिजली अपव्यय (पीडी): 470W
शीर्ष विशेषताएं
- उन्नत प्रक्रिया प्रौद्योगिकी
- अति निम्न ऑन-प्रतिरोध
- गतिशील dv/dt रेटिंग
- तेज़ स्विचिंग
ऑटोमोटिव अनुप्रयोगों के लिए विशेष रूप से डिज़ाइन किया गया, IRFP2907 पावर MOSFET, HEXFET® के स्ट्राइप प्लेनर डिज़ाइन से युक्त है। 175°C के ऑपरेटिंग तापमान, तेज़ स्विचिंग गति और बेहतर रिपीटिटिव एवलांच रेटिंग के साथ, यह MOSFET ऑटोमोटिव के साथ-साथ विभिन्न अन्य अनुप्रयोगों के लिए अत्यधिक कुशल और विश्वसनीय है।
अधिक जानकारी या थोक मूल्य निर्धारण के लिए, हमारी बिक्री टीम से सीधे sales02@thansiv.com या +91-8095406416 पर संपर्क करें।
* चित्र केवल चित्रण के लिए हैं; वास्तविक उत्पाद भिन्न हो सकते हैं।