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आईआरएफपी260एन
उन्नत चार्ज संतुलन तंत्र के साथ नई पीढ़ी का उच्च वोल्टेज MOSFET
- चैनलों की संख्या: 1 चैनल
- ट्रांजिस्टर ध्रुवता: एन-चैनल
- ड्रेन-सोर्स ब्रेकडाउन वोल्टेज (Vds): 200V
- निरंतर ड्रेन करंट (आईडी): 50A
- ड्रेन-सोर्स प्रतिरोध (Rds ऑन): 0.04Ohms
- गेट-सोर्स वोल्टेज (Vgs): 20V
- गेट चार्ज (Qg): 234 nC
- ऑपरेटिंग तापमान रेंज: -55 - 150°C
- बिजली अपव्यय (पीडी): 300W
शीर्ष विशेषताएं:
- गतिशील dV/dt रेटिंग
- बार-बार होने वाले हिमस्खलन का मूल्यांकन
- तेज़ स्विचिंग
- समानांतरीकरण में आसानी
IRFP260N, उच्च वोल्टेज MOSFETs की नई पीढ़ी का एक हिस्सा है जो एक उन्नत चार्ज बैलेंस मैकेनिज्म का उपयोग करता है। यह नवीन तकनीक चालन हानि को कम करती है, बेहतर स्विचिंग प्रदर्शन प्रदान करती है, और अत्यधिक dv/dt दर और उच्च हिमस्खलन ऊर्जा का सामना कर सकती है। यह स्विचिंग मोड संचालन में विभिन्न AC/DC पावर रूपांतरण अनुप्रयोगों के लिए आदर्श है, जिससे सिस्टम का लघुकरण संभव होता है और दक्षता में वृद्धि होती है।
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