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आईआरएफपी250एन
उन्नत चार्ज संतुलन तंत्र के साथ नई पीढ़ी का उच्च वोल्टेज MOSFET।
- चैनलों की संख्या: 1 चैनल
- ट्रांजिस्टर ध्रुवता: एन-चैनल
- ड्रेन-सोर्स ब्रेकडाउन वोल्टेज (Vds): 200V
- निरंतर ड्रेन करंट (आईडी): 30A
- ड्रेन-सोर्स प्रतिरोध (Rds ऑन): 0.075Ohms
- गेट-सोर्स वोल्टेज (Vgs): 20V
- गेट चार्ज (Qg): 123 nC
- ऑपरेटिंग तापमान रेंज: -55 - 175°C
- बिजली अपव्यय (पीडी): 214W
शीर्ष विशेषताएं:
- उन्नत प्रक्रिया प्रौद्योगिकी
- गतिशील dv/dt रेटिंग
- तेज़ स्विचिंग
- पूरी तरह से हिमस्खलन रेटेड
IRFP250N उच्च वोल्टेज MOSFET परिवार की नई पीढ़ी है जो उत्कृष्ट निम्न ऑन-प्रतिरोध और निम्न गेट चार्ज प्रदर्शन के लिए उन्नत चार्ज बैलेंस मैकेनिज्म का उपयोग करती है। यह तकनीक चालन हानि को कम करती है, बेहतर स्विचिंग प्रदर्शन प्रदान करती है, और अत्यधिक dv/dt दर और उच्च हिमस्खलन ऊर्जा का सामना कर सकती है। यह सिस्टम के लघुकरण और उच्च दक्षता के लिए स्विचिंग मोड संचालन में विभिन्न AC/DC पावर रूपांतरण के लिए उपयुक्त है।
अधिक जानकारी या थोक मूल्य निर्धारण के लिए, हमारी बिक्री टीम से सीधे sales02@thansiv.com या +91-8095406416 पर संपर्क करें।
*चित्र केवल चित्रण के लिए हैं; वास्तविक उत्पाद भिन्न हो सकता है।