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IRFP240 उच्च वोल्टेज MOSFET
बेहतर प्रदर्शन के लिए उन्नत चार्ज संतुलन तंत्र के साथ नई पीढ़ी का MOSFET।
- चैनलों की संख्या: 1 चैनल
- ट्रांजिस्टर ध्रुवता: एन-चैनल
- ड्रेन-सोर्स ब्रेकडाउन वोल्टेज (Vds): 200V
- निरंतर ड्रेन करंट (आईडी): 20A
- ड्रेन-सोर्स प्रतिरोध (Rds ऑन): 0.18Ohms
- गेट-सोर्स वोल्टेज (Vgs): 20V
- गेट चार्ज (Qg): 70 nC
- ऑपरेटिंग तापमान रेंज: -55 - 150°C
- बिजली अपव्यय (पीडी): 150W
शीर्ष विशेषताएं:
- गतिशील dV/dt रेटिंग
- बार-बार होने वाले हिमस्खलन का मूल्यांकन
- पृथक केंद्रीय माउंटिंग छेद
- तेज़ स्विचिंग
IRFP240 उच्च वोल्टेज MOSFET तकनीक का अगला चरण है। यह बेहतर प्रदर्शन के लिए असाधारण रूप से कम ऑन-रेसिस्टेंस और कम गेट चार्ज प्रदान करता है। स्विचिंग मोड अनुप्रयोगों में AC/DC पावर रूपांतरण के लिए आदर्श, यह दक्षता और सिस्टम मिनिएचराइजेशन सुनिश्चित करता है।
RoHS निर्देश 2002/95/EC के अनुरूप, यह MOSFET समानांतरीकरण, सरल ड्राइव आवश्यकताओं को आसान बनाता है, और अत्यधिक dv/dt दर और उच्च हिमस्खलन ऊर्जा का सामना कर सकता है।
अधिक जानकारी के लिए, IRFP240 MOSFET डेटाशीट देखें।
चित्र केवल चित्रण के लिए हैं; वास्तविक उत्पाद भिन्न हो सकता है।