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आईआरएफपी22एन60के
चार्ज संतुलन तंत्र के साथ नई पीढ़ी का उच्च वोल्टेज MOSFET
- चैनलों की संख्या: 1 चैनल
- ट्रांजिस्टर ध्रुवता: एन-चैनल
- ड्रेन-सोर्स ब्रेकडाउन वोल्टेज (Vds): 600V
- निरंतर ड्रेन करंट (आईडी): 22A
- ड्रेन-सोर्स प्रतिरोध (Rds ऑन): 0.28Ohms
- गेट-सोर्स वोल्टेज (Vgs): 30V
- गेट चार्ज (Qg): 150 nC
- ऑपरेटिंग तापमान रेंज: -55 - 150°C
- बिजली अपव्यय (पीडी): 370W
विशेषताएँ:
- कम गेट चार्ज Qg ड्राइव आवश्यकता को सरल बनाता है
- बेहतर गेट, एवलांच और गतिशील dV/dt मजबूती
- पूर्णतः अभिलक्षित धारिता और हिमस्खलन वोल्टेज/धारा
- उन्नत बॉडी डायोड dV/dt क्षमता
IRFP22N60K उच्च वोल्टेज MOSFETs की नई पीढ़ी का हिस्सा है जो असाधारण कम ऑन-रेसिस्टेंस और कम गेट चार्ज प्रदर्शन के लिए एक उन्नत चार्ज बैलेंस मैकेनिज्म का उपयोग करता है। इसकी नवीन तकनीक का उद्देश्य चालन हानि को न्यूनतम करना, बेहतर स्विचिंग प्रदर्शन प्रदान करना, और अत्यधिक dv/dt दर और उच्च हिमस्खलन ऊर्जा को सहन करना है, जिससे यह सिस्टम के लघुकरण और बढ़ी हुई दक्षता के लिए स्विचिंग मोड संचालन में विभिन्न AC/DC पावर रूपांतरण अनुप्रयोगों के लिए आदर्श बन जाता है।
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*चित्र केवल चित्रण के लिए हैं; वास्तविक उत्पाद भिन्न हो सकता है।