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आईआरएफपी140एन
उन्नत चार्ज संतुलन तंत्र के साथ नई पीढ़ी का उच्च वोल्टेज MOSFET।
- चैनलों की संख्या: 1 चैनल
- ट्रांजिस्टर ध्रुवता: एन-चैनल
- ड्रेन-सोर्स ब्रेकडाउन वोल्टेज (Vds): 100V
- निरंतर ड्रेन करंट (आईडी): 33A
- ड्रेन-सोर्स प्रतिरोध (Rds ऑन): 0.052Ohms
- गेट-सोर्स वोल्टेज (Vgs): 20V
- गेट चार्ज (Qg): 94 nC
- ऑपरेटिंग तापमान रेंज: -55 - 175°C
- बिजली अपव्यय (पीडी): 140W
शीर्ष विशेषताएं:
- उन्नत प्रक्रिया प्रौद्योगिकी
- गतिशील dv/dt रेटिंग
- तेज़ स्विचिंग
- पूरी तरह से हिमस्खलन रेटेड
IRFP140N को स्विचिंग मोड संचालन में विभिन्न AC/DC पावर रूपांतरणों के लिए डिज़ाइन किया गया है, जो सिस्टम को छोटा और उच्च दक्षता प्रदान करता है। MOSFET असाधारण कम ऑन-प्रतिरोध और कम गेट चार्ज प्रदर्शन के लिए एक उन्नत चार्ज संतुलन तंत्र लागू करता है। इसकी तकनीक चालन हानि को न्यूनतम करने, बेहतर स्विचिंग क्षमताएँ प्रदान करने और अत्यधिक dv/dt दरों और उच्च हिमस्खलन ऊर्जाओं को सहन करने के लिए अनुकूलित है।
अधिक विस्तृत जानकारी के लिए कृपया IRFP140N MOSFET डेटाशीट देखें।
*चित्र केवल चित्रण के लिए हैं; वास्तविक उत्पाद भिन्न हो सकता है।