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आईआरएफपी044एन
नई पीढ़ी के उच्च वोल्टेज MOSFET
- चैनलों की संख्या: 1 चैनल
- ट्रांजिस्टर ध्रुवता: एन-चैनल
- ड्रेन-सोर्स ब्रेकडाउन वोल्टेज (Vds): 55V
- निरंतर ड्रेन करंट (आईडी): 53A
- ड्रेन-सोर्स प्रतिरोध (Rds ऑन): 0.020Ohms
- गेट-सोर्स वोल्टेज (Vgs): 20V
- गेट चार्ज (Qg): 61 nC
- ऑपरेटिंग तापमान रेंज: -55 - 175°C
- बिजली अपव्यय (पीडी): 120W
विशेषताएँ:
- उन्नत प्रक्रिया प्रौद्योगिकी
- गतिशील dv/dt रेटिंग
- तेज़ स्विचिंग
- पूरी तरह से हिमस्खलन रेटेड
IRFP044N उच्च वोल्टेज MOSFET परिवार की एक नई पीढ़ी है जो उत्कृष्ट निम्न ऑन-प्रतिरोध और निम्न गेट चार्ज प्रदर्शन के लिए एक उन्नत चार्ज संतुलन तंत्र का उपयोग करती है। इस उन्नत तकनीक को चालन हानि को न्यूनतम करने, उत्कृष्ट स्विचिंग प्रदर्शन प्रदान करने और अत्यधिक dv/dt दर और उच्च हिमस्खलन ऊर्जा का सामना करने के लिए डिज़ाइन किया गया है। यह सिस्टम के लघुकरण और उच्च दक्षता के लिए स्विचिंग मोड संचालन में विभिन्न AC/DC पावर रूपांतरण के लिए बहुत उपयुक्त है।
संबंधित दस्तावेज़: IRFP044N MOSFET डेटाशीट
* चित्र केवल चित्रण के लिए हैं; वास्तविक उत्पाद भिन्न हो सकते हैं।