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IRFI644 उच्च वोल्टेज MOSFET
नवीन चार्ज संतुलन तंत्र के साथ नई पीढ़ी का उच्च वोल्टेज MOSFET।
- चैनलों की संख्या: 1 चैनल
- ट्रांजिस्टर ध्रुवता: एन-चैनल
- ड्रेन-सोर्स ब्रेकडाउन वोल्टेज (Vds): 250V
- निरंतर ड्रेन करंट (आईडी): 7.9A
- ड्रेन-सोर्स प्रतिरोध (Rds ऑन): 0.28Ohms
- गेट-सोर्स वोल्टेज (Vgs): 20V
- गेट चार्ज (Qg): 68 nC
- ऑपरेटिंग तापमान रेंज: -55 - 150°C
- बिजली अपव्यय (पीडी): 40W
शीर्ष विशेषताएं:
- पृथक पैकेज
- उच्च वोल्टेज अलगाव
- सिंक से लीड क्रीपेज दूरी = 4.8 मिमी
- गतिशील dV/dt रेटिंग
IRFI644 एक नई पीढ़ी का उच्च वोल्टेज MOSFET है जिसे विभिन्न AC/DC पावर रूपांतरण अनुप्रयोगों के लिए डिज़ाइन किया गया है, जो उत्कृष्ट निम्न ऑन-प्रतिरोध और कम गेट चार्ज प्रदर्शन प्रदान करता है। इसकी अनुकूलित तकनीक चालन हानि को न्यूनतम करती है, उत्कृष्ट स्विचिंग प्रदर्शन सुनिश्चित करती है, और अत्यधिक dv/dt दर और उच्च हिमस्खलन ऊर्जा का सामना कर सकती है, जिससे यह सिस्टम के लघुकरण और उच्च दक्षता के लिए उपयुक्त है।
अधिक जानकारी के लिए, IRFI644 MOSFET डेटाशीट देखें।
चित्र केवल चित्रण के लिए हैं; वास्तविक उत्पाद भिन्न हो सकता है।