IRFBG30 उच्च वोल्टेज MOSFET
उन्नत चार्ज संतुलन तंत्र के साथ नई पीढ़ी का उच्च वोल्टेज MOSFET।
- चैनलों की संख्या: 1 चैनल
- ट्रांजिस्टर ध्रुवता: एन-चैनल
- ड्रेन-सोर्स ब्रेकडाउन वोल्टेज (Vds): 1000V
- निरंतर ड्रेन करंट (आईडी): 3.1A
- ड्रेन-सोर्स प्रतिरोध (Rds ऑन): 5Ohms
- गेट-सोर्स वोल्टेज (Vgs): 20V
- गेट चार्ज (Qg): 80 nC
- ऑपरेटिंग तापमान रेंज: -55 - 150°C
- बिजली अपव्यय (पीडी): 125W
शीर्ष विशेषताएं:
- गतिशील dV/dt रेटिंग
- बार-बार होने वाले हिमस्खलन का मूल्यांकन
- तेज़ स्विचिंग
- समानांतरीकरण में आसानी
IRFBG30 उच्च वोल्टेज MOSFET परिवार की नई पीढ़ी है जो एक उन्नत चार्ज बैलेंस मैकेनिज्म का उपयोग करती है, जो उत्कृष्ट कम ऑन-रेसिस्टेंस और कम गेट चार्ज परफॉर्मेंस प्रदान करती है। यह तकनीक चालन हानि को कम करती है, बेहतर स्विचिंग परफॉर्मेंस प्रदान करती है, और अत्यधिक dv/dt दर और उच्च एवलांच ऊर्जा का सामना कर सकती है। यह MOSFET स्विचिंग मोड ऑपरेशन में विभिन्न AC/DC पावर रूपांतरण अनुप्रयोगों के लिए आदर्श है, जिससे सिस्टम का लघुकरण और उच्च दक्षता संभव होती है।
यह MOSFET RoHS निर्देश 2002/95/EC के अनुरूप है, जो पर्यावरण अनुकूल विनिर्माण प्रक्रियाओं को सुनिश्चित करता है।
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*चित्र केवल चित्रण के लिए हैं; वास्तविक उत्पाद भिन्न हो सकता है।