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IRFBE30 उच्च वोल्टेज MOSFET
उन्नत चार्ज संतुलन तंत्र के साथ नई पीढ़ी का उच्च वोल्टेज MOSFET।
- चैनलों की संख्या: 1 चैनल
- ट्रांजिस्टर ध्रुवता: एन-चैनल
- ड्रेन-सोर्स ब्रेकडाउन वोल्टेज (Vds): 800V
- निरंतर ड्रेन करंट (आईडी): 4.1A
- ड्रेन-सोर्स प्रतिरोध (Rds ऑन): 3Ohms
- गेट-सोर्स वोल्टेज (Vgs): 20V
- गेट चार्ज (Qg): 78 nC
- ऑपरेटिंग तापमान रेंज: -55 - 150°C
- बिजली अपव्यय (पीडी): 125W
शीर्ष विशेषताएं:
- गतिशील dV/dt रेटिंग
- बार-बार होने वाले हिमस्खलन का मूल्यांकन
- तेज़ स्विचिंग
- समानांतरीकरण में आसानी
IRFBE30 MOSFET को विभिन्न AC/DC पावर रूपांतरण अनुप्रयोगों के लिए डिज़ाइन किया गया है, जो उत्कृष्ट कम ऑन-रेसिस्टेंस और कम गेट चार्ज प्रदर्शन प्रदान करता है। यह उत्कृष्ट स्विचिंग प्रदर्शन प्रदान करता है और अत्यधिक dv/dt दर और उच्च हिमस्खलन ऊर्जा का सामना कर सकता है। यह इसे सिस्टम मिनिएचराइजेशन और उच्च दक्षता के लिए उपयुक्त बनाता है।
RoHS निर्देश 2002/95/EC के अनुरूप, IRFBE30 MOSFET समानांतरीकरण और सरल ड्राइव आवश्यकताओं को सुनिश्चित करता है, जिससे यह स्विचिंग मोड संचालन के लिए आदर्श बन जाता है।
अधिक जानकारी या थोक मूल्य निर्धारण के लिए, हमारी बिक्री टीम से सीधे sales02@thansiv.com पर संपर्क करें या +91-8095406416 पर कॉल करें।
*चित्र केवल चित्रण के लिए हैं; वास्तविक उत्पाद भिन्न हो सकता है।