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IRFBC40 उच्च वोल्टेज MOSFET
उत्कृष्ट प्रदर्शन के साथ उन्नत उच्च वोल्टेज MOSFET
- चैनलों की संख्या: 1 चैनल
- ट्रांजिस्टर ध्रुवता: एन-चैनल
- ड्रेन-सोर्स ब्रेकडाउन वोल्टेज (Vds): 600V
- निरंतर ड्रेन करंट (आईडी): 6.2A
- ड्रेन-सोर्स प्रतिरोध (Rds ऑन): 1.2 ओम
- गेट-सोर्स वोल्टेज (Vgs): 20V
- गेट चार्ज (Qg): 60 nC
- ऑपरेटिंग तापमान रेंज: -55°C से 150°C
- बिजली अपव्यय (पीडी): 125W
शीर्ष विशेषताएं:
- गतिशील dV/dt रेटिंग
- बार-बार होने वाले हिमस्खलन का मूल्यांकन
- तेज़ स्विचिंग
- समानांतरीकरण में आसानी
IRFBC40 उच्च वोल्टेज MOSFET की एक नई पीढ़ी है जो असाधारण कम ऑन-रेजिस्टेंस और कम गेट चार्ज प्रदर्शन के लिए एक उन्नत चार्ज बैलेंस मैकेनिज्म का उपयोग करती है। चालन हानि को न्यूनतम करने और बेहतर स्विचिंग प्रदर्शन प्रदान करने के लिए अनुकूलित, यह स्विचिंग मोड संचालन में विभिन्न AC/DC पावर रूपांतरणों के लिए उपयुक्त है ताकि सिस्टम का लघुकरण और उच्च दक्षता प्राप्त की जा सके।
सरल ड्राइव आवश्यकताओं और RoHS निर्देश 2002/95/EC के अनुपालन के साथ, यह MOSFET विद्युत अनुप्रयोगों में विश्वसनीयता और दक्षता प्रदान करता है।
अधिक जानकारी या थोक मूल्य निर्धारण के लिए, हमारी बिक्री टीम से सीधे sales02@thansiv.com पर संपर्क करें या +91-8095406416 पर कॉल करें।
चित्र केवल चित्रण के लिए हैं; वास्तविक उत्पाद भिन्न हो सकता है।