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IRFBC30 उच्च वोल्टेज MOSFET
उत्कृष्ट प्रदर्शन के साथ नई पीढ़ी का MOSFET
- चैनलों की संख्या: 1 चैनल
- ट्रांजिस्टर ध्रुवता: एन-चैनल
- ड्रेन-सोर्स ब्रेकडाउन वोल्टेज (Vds): 600V
- निरंतर ड्रेन करंट (आईडी): 3.6A
- ड्रेन-सोर्स प्रतिरोध (Rds ऑन): 2.2Ohms
- गेट-सोर्स वोल्टेज (Vgs): 20V
- गेट चार्ज (Qg): 31 nC
- ऑपरेटिंग तापमान रेंज: -55 - 150°C
- बिजली अपव्यय (पीडी): 74W
शीर्ष विशेषताएं:
- गतिशील dV/dt रेटिंग
- बार-बार होने वाले हिमस्खलन का मूल्यांकन
- तेज़ स्विचिंग
- समानांतरीकरण में आसानी
IRFBC30 उच्च वोल्टेज MOSFET परिवार की नई पीढ़ी है, जो उत्कृष्ट निम्न ऑन-प्रतिरोध और निम्न गेट चार्ज प्रदर्शन के लिए उन्नत चार्ज संतुलन तंत्र का उपयोग करती है। यह तकनीक चालन हानि को कम करती है, बेहतर स्विचिंग प्रदर्शन सुनिश्चित करती है, और अत्यधिक dv/dt दर और उच्च हिमस्खलन ऊर्जा का सामना कर सकती है। स्विचिंग मोड संचालन में विभिन्न AC/DC पावर रूपांतरण के लिए आदर्श।
RoHS निर्देश 2002/95/EC के अनुरूप, इसकी सरल ड्राइव आवश्यकताएं और तीव्र स्विचिंग इसे सिस्टम लघुकरण और उच्च दक्षता के लिए उपयुक्त बनाती हैं।
संबंधित दस्तावेज़: IRFBC30 MOSFET डेटाशीट
*चित्र केवल चित्रण के लिए हैं; वास्तविक उत्पाद भिन्न हो सकता है।