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IRFB4321 उच्च वोल्टेज MOSFET
बेहतर प्रदर्शन के लिए उन्नत चार्ज संतुलन तंत्र के साथ नई पीढ़ी का MOSFET।
- चैनलों की संख्या: 1 चैनल
- ट्रांजिस्टर ध्रुवता: एन-चैनल
- ड्रेन-सोर्स ब्रेकडाउन वोल्टेज (Vds): 150V
- निरंतर ड्रेन करंट (आईडी): 85A
- ड्रेन-सोर्स प्रतिरोध (Rds ऑन): 15mOhms
- गेट-सोर्स वोल्टेज (Vgs): 30V
- गेट चार्ज (Qg): 110 nC
- ऑपरेटिंग तापमान रेंज: -55 - 175°C
- बिजली अपव्यय (पीडी): 350W
शीर्ष विशेषताएं:
- एसएमपीएस में उच्च दक्षता वाला तुल्यकालिक सुधार
- अबाधित विद्युत आपूर्ति
- उच्च गति बिजली स्विचिंग
- हार्ड स्विच्ड और उच्च आवृत्ति सर्किट
IRFB4321 उच्च वोल्टेज MOSFET परिवार की एक नई पीढ़ी है जो उत्कृष्ट निम्न ऑन-प्रतिरोध और निम्न गेट चार्ज प्रदर्शन के लिए एक उन्नत चार्ज बैलेंस तंत्र का उपयोग करती है। यह तकनीक चालन हानि को कम करती है, बेहतर स्विचिंग प्रदर्शन प्रदान करती है, और अत्यधिक dv/dt दर और उच्च हिमस्खलन ऊर्जा का सामना कर सकती है। यह सिस्टम के लघुकरण और उच्च दक्षता के लिए स्विचिंग मोड संचालन में विभिन्न AC/DC पावर रूपांतरण के लिए उपयुक्त है।
अधिक जानकारी या थोक मूल्य निर्धारण के लिए, हमारी बिक्री टीम से sales02@thansiv.com पर संपर्क करें या +91-8095406416 पर कॉल करें।
*चित्र केवल चित्रण के लिए हैं; वास्तविक उत्पाद भिन्न हो सकता है।