IRFB4110 उच्च वोल्टेज MOSFET
उन्नत चार्ज संतुलन तंत्र के साथ नई पीढ़ी का उच्च वोल्टेज MOSFET।
- चैनलों की संख्या: 1 चैनल
- ट्रांजिस्टर ध्रुवता: एन-चैनल
- ड्रेन-सोर्स ब्रेकडाउन वोल्टेज (Vds): 100V
- निरंतर ड्रेन करंट (आईडी): 180A
- ड्रेन-सोर्स प्रतिरोध (Rds ऑन): 4.5Ohms
- गेट-सोर्स वोल्टेज (Vgs): 20V
- गेट चार्ज (Qg): 210 nC
- ऑपरेटिंग तापमान रेंज: -55 - 175°C
- बिजली अपव्यय (पीडी): 370W
शीर्ष विशेषताएं:
- उच्च दक्षता तुल्यकालिक सुधार
- निर्बाध विद्युत आपूर्ति समर्थन
- उच्च गति बिजली स्विचिंग क्षमता
- हार्ड स्विच्ड और उच्च-आवृत्ति सर्किट में उपयोग
IRFB4110 MOSFET को स्विचिंग मोड ऑपरेशन में विभिन्न AC/DC पावर रूपांतरण अनुप्रयोगों के लिए डिज़ाइन किया गया है ताकि सिस्टम का लघुकरण बढ़ाया जा सके और दक्षता में सुधार किया जा सके। यह अपने उन्नत चार्ज बैलेंस मैकेनिज्म के कारण उत्कृष्ट कम ऑन-रेसिस्टेंस और कम गेट चार्ज परफॉर्मेंस प्रदान करता है।
उन्नत तकनीक का उपयोग करते हुए, IRFB4110 चालन हानि को न्यूनतम करता है, उत्कृष्ट स्विचिंग प्रदर्शन प्रदान करता है, और अत्यधिक dv/dt दर और उच्च हिमस्खलन ऊर्जा का सामना कर सकता है। यह MOSFET उच्च प्रदर्शन और दक्षता की आवश्यकता वाले मांगलिक अनुप्रयोगों के लिए एक विश्वसनीय विकल्प है।
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