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IRF9Z34 उच्च वोल्टेज MOSFET
उन्नत चार्ज संतुलन तंत्र के साथ नई पीढ़ी का उच्च वोल्टेज MOSFET।
- चैनलों की संख्या: 1 चैनल
- ट्रांजिस्टर ध्रुवता: P-चैनल
- ड्रेन-सोर्स ब्रेकडाउन वोल्टेज (Vds): -60V
- निरंतर ड्रेन करंट (आईडी): -18A
- ड्रेन-सोर्स प्रतिरोध (Rds ऑन): 0.14Ohms
- गेट-सोर्स वोल्टेज (Vgs): 20V
- गेट चार्ज (Qg): 34 nC
- ऑपरेटिंग तापमान रेंज: -55 - 175°C
- बिजली अपव्यय (पीडी): 88W
विशेषताएँ:
- गतिशील dV/dt रेटिंग
- 100% हिमस्खलन रेटेड
- तेज़ स्विचिंग
- समानांतरीकरण में आसानी
IRF9Z34 MOSFET, उच्च वोल्टेज MOSFETs की नई पीढ़ी का एक हिस्सा है जो असाधारण कम ऑन-रेसिस्टेंस और कम गेट चार्ज परफॉर्मेंस के लिए एक उन्नत चार्ज बैलेंस मैकेनिज्म का उपयोग करता है। इसे चालन हानि को कम करने, बेहतर स्विचिंग परफॉर्मेंस देने और अत्यधिक dv/dt दर और उच्च एवलांच ऊर्जा को झेलने के लिए डिज़ाइन किया गया है। यह MOSFET स्विचिंग मोड ऑपरेशन में विभिन्न AC/DC पावर रूपांतरण अनुप्रयोगों के लिए विशेष रूप से उपयुक्त है, जिससे सिस्टम का लघुकरण और उच्च दक्षता संभव होती है।
अपने पी-चैनल डिजाइन और उन्नत प्रक्रिया प्रौद्योगिकी के साथ, यह MOSFET सरल ड्राइव आवश्यकताओं की पेशकश करता है और विश्वसनीय प्रदर्शन प्रदान करता है।
अधिक विस्तृत जानकारी के लिए, IRF9Z34 MOSFET डेटाशीट देखें।
* चित्र केवल चित्रण के लिए हैं; वास्तविक उत्पाद भिन्न हो सकते हैं।