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IRF9Z24 उच्च वोल्टेज MOSFET
उन्नत चार्ज संतुलन तंत्र के साथ नई पीढ़ी का उच्च वोल्टेज MOSFET।
- चैनलों की संख्या: 1 चैनल
- ट्रांजिस्टर ध्रुवता: P-चैनल
- ड्रेन-सोर्स ब्रेकडाउन वोल्टेज (Vds): -60V
- निरंतर ड्रेन करंट (आईडी): -11A
- ड्रेन-सोर्स प्रतिरोध (Rds ऑन): 0.28Ohms
- गेट-सोर्स वोल्टेज (Vgs): 20V
- गेट चार्ज (Qg): 19 nC
- ऑपरेटिंग तापमान रेंज: -55 - 175°C
- बिजली अपव्यय (पीडी): 60W
शीर्ष विशेषताएं:
- गतिशील dV/dt रेटिंग
- 100% हिमस्खलन रेटेड
- तेज़ स्विचिंग
- समानांतरीकरण में आसानी
IRF9Z24 को स्विचिंग मोड में विभिन्न AC/DC पावर रूपांतरण अनुप्रयोगों के लिए डिज़ाइन किया गया है ताकि सिस्टम का लघुकरण और दक्षता बढ़ाई जा सके। चालन हानि को न्यूनतम करने हेतु उन्नत तकनीक का उपयोग करते हुए, यह बेहतर स्विचिंग प्रदर्शन प्रदान करता है और अत्यधिक dv/dt दरों और उच्च हिमस्खलन ऊर्जा का सामना कर सकता है। सिस्टम के लघुकरण और उच्च दक्षता के लिए उपयुक्त। P-चैनल तकनीक की आवश्यकता वाले अनुप्रयोगों के लिए बिल्कुल उपयुक्त।
संबंधित दस्तावेज़: IRF9Z24 MOSFET डेटाशीट
* चित्र केवल चित्रण के लिए हैं; वास्तविक उत्पाद भिन्न हो सकते हैं।