आईआरएफ9630 एमओएसएफईटी
उन्नत चार्ज संतुलन तंत्र के साथ नई पीढ़ी का उच्च वोल्टेज MOSFET।
- चैनलों की संख्या: 1 चैनल
- ट्रांजिस्टर ध्रुवता: P-चैनल
- ड्रेन-सोर्स ब्रेकडाउन वोल्टेज (Vds): -200V
- निरंतर ड्रेन करंट (आईडी): -6.5A
- ड्रेन-सोर्स प्रतिरोध (Rds ऑन): 0.80 ओम
- गेट-सोर्स वोल्टेज (Vgs): 20V
- गेट चार्ज (Qg): 29 nC
- ऑपरेटिंग तापमान रेंज: -55 - 150°C
- बिजली अपव्यय (पीडी): 74W
शीर्ष विशेषताएं:
- गतिशील dV/dt रेटिंग
- 100% हिमस्खलन रेटेड
- तेज़ स्विचिंग
- समानांतरीकरण में आसानी
IRF9630 उच्च वोल्टेज MOSFETs की नई पीढ़ी का एक हिस्सा है जो उत्कृष्ट निम्न ऑन-प्रतिरोध और निम्न गेट चार्ज प्रदर्शन प्राप्त करने के लिए एक उन्नत चार्ज बैलेंस मैकेनिज्म का उपयोग करता है। यह तकनीक चालन हानि को कम करती है, बेहतर स्विचिंग प्रदर्शन प्रदान करती है, और अत्यधिक dv/dt दरों और उच्च हिमस्खलन ऊर्जा का सामना कर सकती है। यह स्विचिंग मोड संचालन में विभिन्न AC/DC पावर रूपांतरण अनुप्रयोगों के लिए आदर्श है, जिससे सिस्टम का लघुकरण और उच्च दक्षता प्राप्त होती है।
IRF9630 MOSFET एक P-चैनल ट्रांजिस्टर है जिसमें -200V ड्रेन-सोर्स ब्रेकडाउन वोल्टेज, -6.5A निरंतर ड्रेन करंट और 0.80 ओम ड्रेन-सोर्स रेजिस्टेंस है। 20V के गेट-सोर्स वोल्टेज, 29 nC के गेट चार्ज और -55 से 150°C के ऑपरेटिंग तापमान रेंज के साथ, यह 74W का पावर अपव्यय प्रदान करता है।
अधिक विस्तृत जानकारी के लिए, IRF9630 MOSFET डेटाशीट देखें।
* चित्र केवल चित्रण के लिए हैं; वास्तविक उत्पाद भिन्न हो सकते हैं।