IRF9610 उच्च वोल्टेज MOSFET
उन्नत चार्ज संतुलन तंत्र के साथ उच्च वोल्टेज MOSFET की नई पीढ़ी।
- चैनलों की संख्या: 1 चैनल
- ट्रांजिस्टर ध्रुवता: P-चैनल
- ड्रेन-सोर्स ब्रेकडाउन वोल्टेज (Vds): -200V
- निरंतर ड्रेन करंट (आईडी): -1.8A
- ड्रेन-सोर्स प्रतिरोध (Rds ऑन): 3 ओम
- गेट-सोर्स वोल्टेज (Vgs): 20V
- गेट चार्ज (Qg): 11 nC
- ऑपरेटिंग तापमान रेंज: -55 - 150°C
- बिजली अपव्यय (पीडी): 20W
शीर्ष विशेषताएं:
- गतिशील dV/dt रेटिंग
- 100% हिमस्खलन रेटेड
- तेज़ स्विचिंग
- समानांतरीकरण में आसानी
IRF9610 उच्च वोल्टेज MOSFETs की नई पीढ़ी का हिस्सा है जो एक उन्नत चार्ज बैलेंस मैकेनिज्म का उपयोग करता है, जो उत्कृष्ट कम ऑन-रेसिस्टेंस और कम गेट चार्ज परफॉर्मेंस प्रदान करता है। यह तकनीक चालन हानि को कम करने, बेहतर स्विचिंग परफॉर्मेंस प्रदान करने और अत्यधिक dv/dt दर और उच्च एवलांच ऊर्जा का सामना करने के लिए डिज़ाइन की गई है। यह MOSFET स्विचिंग मोड ऑपरेशन में विभिन्न AC/DC पावर रूपांतरण अनुप्रयोगों के लिए उपयुक्त है, जिससे सिस्टम का लघुकरण और उच्च दक्षता संभव होती है।
सरल ड्राइव आवश्यकताओं और उन्नत प्रक्रिया प्रौद्योगिकी के साथ, यह पी-चैनल MOSFET मांग वाले अनुप्रयोगों में विश्वसनीय प्रदर्शन प्रदान करता है।
अधिक जानकारी या थोक मूल्य निर्धारण के लिए, हमारी बिक्री टीम से सीधे sales02@thansiv.com पर संपर्क करें या +91-8095406416 पर कॉल करें।
*चित्र केवल चित्रण के लिए हैं; वास्तविक उत्पाद भिन्न हो सकता है।