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IRF9530 उच्च वोल्टेज MOSFET
उन्नत चार्ज संतुलन तंत्र के साथ नई पीढ़ी का उच्च वोल्टेज MOSFET।
- चैनलों की संख्या: 1 चैनल
- ट्रांजिस्टर ध्रुवता: P-चैनल
- ड्रेन-सोर्स ब्रेकडाउन वोल्टेज (Vds): -100V
- निरंतर ड्रेन करंट (आईडी): -14A
- ड्रेन-सोर्स प्रतिरोध (Rds ऑन): 0.20Ohms
- गेट-सोर्स वोल्टेज (Vgs): 20V
- गेट चार्ज (Qg): 58 nC
- ऑपरेटिंग तापमान रेंज: -55 - 175°C
- बिजली अपव्यय (पीडी): 79W
शीर्ष विशेषताएं:
- गतिशील dV/dt रेटिंग
- 100% हिमस्खलन रेटेड
- तेज़ स्विचिंग
- समानांतरीकरण में आसानी
IRF9530 उच्च वोल्टेज MOSFETs की नई पीढ़ी का एक हिस्सा है जो असाधारण कम ऑन-रेसिस्टेंस और कम गेट चार्ज परफॉर्मेंस के लिए एक उन्नत चार्ज बैलेंस मैकेनिज्म का उपयोग करता है। इस तकनीक का उद्देश्य चालन हानि को कम करना, उत्कृष्ट स्विचिंग क्षमताएँ प्रदान करना और उच्च dv/dt दरों और हिमस्खलन ऊर्जा का सामना करना है। स्विचिंग मोड सिस्टम में AC/DC पावर रूपांतरण के लिए एकदम सही, यह लघुकरण और बढ़ी हुई दक्षता को सक्षम बनाता है।
RoHS निर्देश 2002/95/EC के अनुरूप, यह P-चैनल MOSFET विभिन्न अनुप्रयोगों में विश्वसनीय प्रदर्शन सुनिश्चित करते हुए एक नया उच्च वोल्टेज बेंचमार्क प्रदान करता है।
अधिक विस्तृत तकनीकी जानकारी के लिए, IRF9530 MOSFET डेटाशीट देखें।
*चित्र केवल चित्रण के लिए हैं; वास्तविक उत्पाद भिन्न हो सकता है।