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IRF840 उच्च वोल्टेज MOSFET
उन्नत चार्ज संतुलन तंत्र के साथ नई पीढ़ी का MOSFET।
- चैनलों की संख्या: 1 चैनल
- ट्रांजिस्टर ध्रुवता: एन-चैनल
- ड्रेन-सोर्स ब्रेकडाउन वोल्टेज (Vds): 500V
- निरंतर ड्रेन करंट (आईडी): 8A
- ड्रेन-सोर्स प्रतिरोध (Rds ऑन): 850mOhms
- गेट-सोर्स वोल्टेज (Vgs): 20V
- गेट चार्ज (Qg): 39 nC
- ऑपरेटिंग तापमान रेंज: -65 - 150°C
- बिजली अपव्यय (पीडी): 125W
शीर्ष विशेषताएं:
- गतिशील dV/dt रेटिंग
- बार-बार होने वाले हिमस्खलन का मूल्यांकन
- तेज़ स्विचिंग
- समानांतरीकरण में आसानी
IRF840 को चालन हानि को न्यूनतम करने, उत्कृष्ट स्विचिंग प्रदर्शन प्रदान करने, और अत्यधिक dv/dt दर तथा उच्च हिमस्खलन ऊर्जा को सहन करने के लिए डिज़ाइन किया गया है। यह लघुकरण और उच्च दक्षता के लिए स्विचिंग मोड में विभिन्न AC/DC पावर रूपांतरण के लिए आदर्श है।
संबंधित दस्तावेज़: IRF840 MOSFET डेटाशीट
चित्र केवल चित्रण के लिए हैं; वास्तविक उत्पाद भिन्न हो सकता है।