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IRF820 उच्च वोल्टेज MOSFET
उन्नत चार्ज संतुलन तंत्र के साथ नई पीढ़ी का उच्च वोल्टेज MOSFET।
- चैनलों की संख्या: 1 चैनल
- ट्रांजिस्टर ध्रुवता: एन-चैनल
- ड्रेन-सोर्स ब्रेकडाउन वोल्टेज (Vds): 500V
- निरंतर ड्रेन करंट (आईडी): 2.5A
- ड्रेन-सोर्स प्रतिरोध (Rds ऑन): 3Ohms
- गेट-सोर्स वोल्टेज (Vgs): 20V
- गेट चार्ज (Qg): 17 nC
- ऑपरेटिंग तापमान रेंज: -65 - 150°C
- बिजली अपव्यय (पीडी): 50W
प्रमुख विशेषताऐं:
- गतिशील dV/dt रेटिंग
- बार-बार होने वाले हिमस्खलन का मूल्यांकन
- तेज़ स्विचिंग
- समानांतरीकरण में आसानी
IRF820 को स्विचिंग मोड संचालन में विभिन्न AC/DC पावर रूपांतरण अनुप्रयोगों के लिए डिज़ाइन किया गया है, जिससे सिस्टम का लघुकरण और उच्च दक्षता प्राप्त होती है। यह उत्कृष्ट निम्न ऑन-प्रतिरोध और कम गेट चार्ज प्रदर्शन प्रदान करता है, जिसके परिणामस्वरूप न्यूनतम चालन हानि और बेहतर स्विचिंग प्रदर्शन होता है, जिससे यह अत्यधिक dv/dt दर और उच्च हिमस्खलन ऊर्जा की आवश्यकता वाले अनुप्रयोगों के लिए उपयुक्त हो जाता है।
यह सरल ड्राइव आवश्यकताओं के साथ आता है और पर्यावरण सुरक्षा के लिए RoHS निर्देश 2002/95/EC के अनुरूप है।
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*चित्र केवल चित्रण के लिए हैं; वास्तविक उत्पाद भिन्न हो सकता है।