×
IRF730 पावर MOSFETs
तेज़-स्विचिंग, मज़बूत डिज़ाइन, कम ऑन-प्रतिरोध, और लागत-प्रभावी
- चैनलों की संख्या: 1 चैनल
- ट्रांजिस्टर ध्रुवता: एन-चैनल
- ड्रेन-सोर्स ब्रेकडाउन वोल्टेज (Vds): 400V
- निरंतर ड्रेन करंट (आईडी): 5.5A
- ड्रेन-सोर्स प्रतिरोध (Rds ऑन): 1 ओम
- गेट-सोर्स वोल्टेज (Vgs): 20V
- गेट चार्ज (Qg): 38 nC
- ऑपरेटिंग तापमान रेंज: -55°C से 150°C
- बिजली अपव्यय (पीडी): 74W
शीर्ष विशेषताएं:
- गतिशील dV/dt रेटिंग
- बार-बार होने वाले हिमस्खलन का मूल्यांकन
- तेज़ स्विचिंग
- समानांतरीकरण में आसानी
IRF730 तीसरी पीढ़ी के पावर MOSFET तेज़ स्विचिंग, मज़बूत डिज़ाइन, कम ऑन-रेज़िस्टेंस और किफ़ायतीपन का संयोजन प्रदान करते हैं, जो उन्हें वाणिज्यिक-औद्योगिक अनुप्रयोगों के लिए आदर्श बनाता है। TO-220AB पैकेज 74W तक के पावर स्तरों पर विश्वसनीयता सुनिश्चित करता है। ये MOSFET RoHS निर्देश 2002/95/EC के अनुरूप हैं।
अधिक जानकारी के लिए, IRF730 MOSFET डेटाशीट देखें।
*चित्र केवल चित्रण के लिए हैं; वास्तविक उत्पाद भिन्न हो सकता है।