IRF720 तीसरी पीढ़ी का पावर MOSFET
तीव्र स्विचिंग, मजबूत डिजाइन, कम ऑन-प्रतिरोध और लागत प्रभावशीलता का सर्वोत्तम संयोजन।
- चैनलों की संख्या: 1 चैनल
- ट्रांजिस्टर ध्रुवता: एन-चैनल
- ड्रेन-सोर्स ब्रेकडाउन वोल्टेज (Vds): 400V
- निरंतर ड्रेन करंट (आईडी): 3.3A
- ड्रेन-सोर्स प्रतिरोध (Rds ऑन): 1.8Ohms
- गेट-सोर्स वोल्टेज (Vgs): 20V
- गेट चार्ज (Qg): 20 nC
- ऑपरेटिंग तापमान रेंज: -55°C से 150°C
- बिजली अपव्यय (पीडी): 50W
शीर्ष विशेषताएं:
- गतिशील dV/dt रेटिंग
- बार-बार होने वाले हिमस्खलन का मूल्यांकन
- तेज़ स्विचिंग
- समानांतरीकरण में आसानी
IRF720 तीसरी पीढ़ी के पावर MOSFETs सभी व्यावसायिक-औद्योगिक अनुप्रयोगों के लिए डिज़ाइन किए गए हैं जिनमें लगभग 50W तक की शक्ति अपव्यय दर की आवश्यकता होती है। TO-220AB पैकेज मज़बूती और विश्वसनीयता सुनिश्चित करता है।
400V के ड्रेन-सोर्स ब्रेकडाउन वोल्टेज और 3.3A के निरंतर ड्रेन करंट के साथ, ये MOSFET कुशल प्रदर्शन प्रदान करते हैं। 1.8 ओम का कम ऑन-रेज़िस्टेंस बिजली की हानि को कम करता है, जिससे ये विभिन्न डिज़ाइनों के लिए किफ़ायती हो जाते हैं।
MOSFETs में 20V का गेट-सोर्स वोल्टेज, 20 nC का गेट चार्ज होता है, और ये -55°C से 150°C की विस्तृत तापमान सीमा में काम करते हैं। इनकी तेज़ स्विचिंग विशेषताएँ और सरल ड्राइव आवश्यकताएँ समग्र डिज़ाइन लचीलेपन को बढ़ाती हैं।
अधिक विस्तृत विनिर्देशों के लिए, संबंधित दस्तावेज़ देखें।
चित्र केवल चित्रण के लिए हैं; वास्तविक उत्पाद भिन्न हो सकता है।