IRF644 तीसरी पीढ़ी के पावर MOSFETs
गति, स्थायित्व, कम प्रतिरोध और लागत प्रभावशीलता का सबसे अच्छा संयोजन।
- चैनलों की संख्या: 1 चैनल
- ट्रांजिस्टर ध्रुवता: एन-चैनल
- ड्रेन-सोर्स ब्रेकडाउन वोल्टेज (Vds): 250V
- निरंतर ड्रेन करंट (आईडी): 14A
- ड्रेन-सोर्स प्रतिरोध (Rds ऑन): 0.28 ओम
- गेट-सोर्स वोल्टेज (Vgs): 20V
- गेट चार्ज (Qg): 68 nC
- ऑपरेटिंग तापमान रेंज: -55 - 150°C
- बिजली अपव्यय (पीडी): 125W
शीर्ष विशेषताएं:
- गतिशील dV/dt रेटिंग
- बार-बार होने वाले हिमस्खलन का मूल्यांकन
- तेज़ स्विचिंग
- समानांतरीकरण में आसानी
IRF644 तीसरी पीढ़ी के पावर MOSFET तेज़ स्विचिंग क्षमता, मज़बूत डिज़ाइन, कम ऑन-रेज़िस्टेंस और बेहतरीन किफ़ायती प्रदान करते हैं। ये विशेषताएँ उन्हें लगभग 125W तक की बिजली खपत वाले वाणिज्यिक-औद्योगिक अनुप्रयोगों के लिए आदर्श बनाती हैं। TO-220AB पैकेज सार्वभौमिक अनुकूलता सुनिश्चित करता है।
250V के ड्रेन-सोर्स ब्रेकडाउन वोल्टेज, 14A के निरंतर ड्रेन करंट और 0.28 ओम के ड्रेन-सोर्स रेजिस्टेंस के साथ, ये MOSFET विश्वसनीय प्रदर्शन प्रदान करते हैं। 20V का गेट-सोर्स वोल्टेज और 68 nC का गेट चार्ज कुशल संचालन में योगदान देता है। -55 से 150°C के तापमान रेंज में काम करते हुए, ये MOSFET 125W तक की बिजली अपव्यय को संभाल सकते हैं।
अधिक विस्तृत जानकारी के लिए, आप IRF644 MOSFET डेटाशीट देख सकते हैं।
*चित्र केवल चित्रण के लिए हैं; वास्तविक उत्पाद भिन्न हो सकता है।