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IRF640 पावर MOSFET TO-220AB
औद्योगिक अनुप्रयोगों के लिए तेज़ स्विचिंग और मज़बूत डिज़ाइन
- चैनलों की संख्या: 1 चैनल
- ट्रांजिस्टर ध्रुवता: एन-चैनल
- ड्रेन-सोर्स ब्रेकडाउन वोल्टेज (Vds): 200V
- निरंतर ड्रेन करंट (आईडी): 18A
- ड्रेन-सोर्स प्रतिरोध (Rds ऑन): 0.15Ohms
- गेट-सोर्स वोल्टेज (Vgs): 20V
- गेट चार्ज (Qg): 70 nC
- ऑपरेटिंग तापमान रेंज: -55 - 150°C
- बिजली अपव्यय (पीडी): 150W
शीर्ष विशेषताएं:
- गतिशील dV/dt रेटिंग
- बार-बार होने वाले हिमस्खलन का मूल्यांकन
- तेज़ स्विचिंग
- समानांतरीकरण में आसानी
IRF640 तीसरी पीढ़ी के पावर MOSFET तेज़ स्विचिंग, मज़बूत डिज़ाइन, कम ऑन-रेज़िस्टेंस और किफ़ायतीपन का बेहतरीन संयोजन प्रदान करते हैं। TO-220AB पैकेज इसे 150W पावर अपव्यय स्तर तक के सभी वाणिज्यिक-औद्योगिक अनुप्रयोगों के लिए उपयुक्त बनाता है।
यदि आपको अधिक जानकारी की आवश्यकता है या थोक मूल्य निर्धारण में रुचि है, तो कृपया हमारी बिक्री टीम से sales02@thansiv.com या +91-8095406416 पर संपर्क करें।
चित्र केवल चित्रण के लिए हैं; वास्तविक उत्पाद भिन्न हो सकता है।