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IRF630 तीसरी पीढ़ी के पावर MOSFETs
प्रदर्शन, मजबूत डिजाइन और लागत प्रभावशीलता का सर्वोत्तम संयोजन।
- चैनलों की संख्या: 1 चैनल
- ट्रांजिस्टर ध्रुवता: एन-चैनल
- ड्रेन-सोर्स ब्रेकडाउन वोल्टेज (Vds): 200V
- निरंतर ड्रेन करंट (आईडी): 9A
- ड्रेन-सोर्स प्रतिरोध (Rds ऑन): 0.4 ओम
- गेट-सोर्स वोल्टेज (Vgs): 20V
- गेट चार्ज (Qg): 43 nC
- ऑपरेटिंग तापमान रेंज: -55°C - 150°C
- बिजली अपव्यय (पीडी): 74W
विशेषताएँ:
- गतिशील dV/dt रेटिंग
- बार-बार होने वाले हिमस्खलन का मूल्यांकन
- तेज़ स्विचिंग
- समानांतरीकरण में आसानी
TO-220AB पैकेज में IRF630 MOSFET तेज़ स्विचिंग और कम ऑन-रेज़िस्टेंस प्रदान करते हैं, जो 50W तक के पावर अपव्यय स्तर वाले वाणिज्यिक-औद्योगिक अनुप्रयोगों के लिए आदर्श हैं। ये RoHS निर्देश 2002/95/EC के अनुरूप हैं।
अधिक जानकारी के लिए, IRF630 MOSFET डेटाशीट देखें।
चित्र केवल चित्रण के लिए हैं; वास्तविक उत्पाद भिन्न हो सकता है।