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IRF620 पावर MOSFETs
तीव्र गति से स्विच करने की क्षमता, मजबूत डिजाइन, कम प्रतिरोध और लागत प्रभावी समाधान।
- चैनलों की संख्या: 1 चैनल
- ट्रांजिस्टर ध्रुवता: एन-चैनल
- ड्रेन-सोर्स ब्रेकडाउन वोल्टेज (Vds): 200V
- निरंतर ड्रेन करंट (आईडी): 5.2A
- ड्रेन-सोर्स प्रतिरोध (Rds ऑन): 0.8Ohms
- गेट-सोर्स वोल्टेज (Vgs): 20V
- गेट चार्ज (Qg): 14 nC
- ऑपरेटिंग तापमान रेंज: -55 - 150°C
- बिजली अपव्यय (पीडी): 50W
- पैकेज प्रकार: TO-220AB
शीर्ष विशेषताएं:
- गतिशील dV/dt रेटिंग
- बार-बार होने वाले हिमस्खलन का मूल्यांकन
- तेज़ स्विचिंग
- समानांतरीकरण में आसानी
IRF620 तीसरी पीढ़ी के पावर MOSFET तेज़ स्विचिंग, मज़बूत डिज़ाइन, कम ऑन-रेज़िस्टेंस और किफ़ायतीपन का बेहतरीन संयोजन प्रदान करते हैं। TO-220AB पैकेज 50W तक की बिजली खपत वाले व्यावसायिक-औद्योगिक अनुप्रयोगों के लिए सर्वत्र पसंद किया जाता है।
सरल ड्राइव आवश्यकताएं और RoHS निर्देशों का अनुपालन इसे विभिन्न अनुप्रयोगों के लिए एक बहुमुखी विकल्प बनाता है।
अधिक जानकारी के लिए, IRF620 MOSFET डेटाशीट देखें।
चित्र केवल चित्रण के लिए हैं; वास्तविक उत्पाद भिन्न हो सकता है।