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IRF610 पावर MOSFET
गति, मजबूती और लागत दक्षता का सर्वोत्तम संयोजन।
- चैनलों की संख्या: 1 चैनल
- ट्रांजिस्टर ध्रुवता: एन-चैनल
- ड्रेन-सोर्स ब्रेकडाउन वोल्टेज (Vds): 200V
- निरंतर ड्रेन करंट (आईडी): 3.3A
- ड्रेन-सोर्स प्रतिरोध (Rds ऑन): 1.5 ओम
- गेट-सोर्स वोल्टेज (Vgs): 20V
- गेट चार्ज (Qg): 8.2 nC
- ऑपरेटिंग तापमान रेंज: -55°C से 150°C
- बिजली अपव्यय (पीडी): 36W
शीर्ष विशेषताएं:
- गतिशील dV/dt रेटिंग
- बार-बार होने वाले हिमस्खलन का मूल्यांकन
- तेज़ स्विचिंग
- समानांतरीकरण में आसानी
IRF610 तीसरी पीढ़ी के पावर MOSFETs 50W तक की बिजली अपव्यय क्षमता के साथ विभिन्न वाणिज्यिक और औद्योगिक अनुप्रयोगों में अद्वितीय प्रदर्शन प्रदान करते हैं। TO-220AB पैकेज सार्वभौमिक अनुकूलता और विश्वसनीयता सुनिश्चित करता है।
RoHS निर्देश 2002/95/EC के अनुरूप, ये MOSFETs डिजाइनरों को सरल ड्राइव आवश्यकताओं और आसान समानांतरीकरण का लचीलापन प्रदान करते हैं, जिससे वे विविध परियोजनाओं के लिए आदर्श बन जाते हैं।
अधिक विस्तृत तकनीकी जानकारी के लिए, IRF610 MOSFET डेटाशीट देखें।
चित्र केवल चित्रण के लिए हैं; वास्तविक उत्पाद भिन्न हो सकता है।