×
IRF540 पावर MOSFET
तेज़ स्विचिंग, मज़बूत डिज़ाइन, कम ऑन-प्रतिरोध और लागत प्रभावी
- चैनलों की संख्या: 1 चैनल
- ट्रांजिस्टर ध्रुवता: एन-चैनल
- ड्रेन-सोर्स ब्रेकडाउन वोल्टेज (Vds): 100V
- निरंतर ड्रेन करंट (आईडी): 33A
- ड्रेन-सोर्स प्रतिरोध (Rds ऑन): 44mOhms
- गेट-सोर्स वोल्टेज (Vgs): 20V
- गेट चार्ज (Qg): 71 nC
- ऑपरेटिंग तापमान रेंज: -55 - 175°C
- बिजली अपव्यय (पीडी): 130W
शीर्ष विशेषताएं
- गतिशील dV/dt रेटिंग
- बार-बार होने वाले हिमस्खलन का मूल्यांकन
- तेज़ स्विचिंग
- समानांतरीकरण में आसानी
IRF540 तीसरी पीढ़ी के पावर MOSFET तेज़ स्विचिंग, मज़बूत डिज़ाइन, कम ऑन-रेज़िस्टेंस और किफ़ायतीपन का बेहतरीन संयोजन प्रदान करते हैं। TO-220AB पैकेज लगभग 50W तक के पावर अपव्यय स्तर वाले वाणिज्यिक-औद्योगिक अनुप्रयोगों के लिए आदर्श है।
RoHS निर्देश 2002/95/EC के अनुरूप, इन MOSFETs की ड्राइव आवश्यकताएं सरल हैं, जिससे इन्हें विभिन्न अनुप्रयोगों में उपयोग करना आसान हो जाता है।
अधिक जानकारी या थोक मूल्य निर्धारण के लिए, हमारी बिक्री टीम से सीधे sales02@thansiv.com पर संपर्क करें या +91-8095406416 पर कॉल करें।
चित्र केवल चित्रण के लिए हैं; वास्तविक उत्पाद भिन्न हो सकता है।