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IRF530 तीसरी पीढ़ी का पावर MOSFET
तेज़ स्विचिंग, मज़बूत डिज़ाइन, कम ऑन-प्रतिरोध और लागत प्रभावी
- चैनलों की संख्या: 1 चैनल
- ट्रांजिस्टर ध्रुवता: एन-चैनल
- ड्रेन-सोर्स ब्रेकडाउन वोल्टेज (Vds): 100V
- निरंतर ड्रेन करंट (आईडी): 17A
- ड्रेन-सोर्स प्रतिरोध (Rds ऑन): 90mOhms
- गेट-सोर्स वोल्टेज (Vgs): 20V
- गेट चार्ज (Qg): 37 nC
- ऑपरेटिंग तापमान रेंज: -55 - 175°C
- बिजली अपव्यय (पीडी): 70W
विशेषताएँ:
- गतिशील dV/dt रेटिंग
- बार-बार होने वाले हिमस्खलन का मूल्यांकन
- तेज़ स्विचिंग
- समानांतरीकरण में आसानी
IRF530 तीसरी पीढ़ी के पावर MOSFETs डिज़ाइनर को तेज़ स्विचिंग, मज़बूत डिवाइस डिज़ाइन, कम ऑन-रेज़िस्टेंस और किफ़ायतीपन का सर्वोत्तम संयोजन प्रदान करते हैं। TO-220AB पैकेज लगभग 50 W तक के पावर अपव्यय स्तर पर सभी वाणिज्यिक-औद्योगिक अनुप्रयोगों के लिए सर्वत्र पसंद किया जाता है।
RoHS निर्देश 2002/95/EC के अनुरूप।
संबंधित दस्तावेज़: IRF530 MOSFET डेटाशीट
चित्र केवल चित्रण के लिए हैं; वास्तविक उत्पाद भिन्न हो सकता है।