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आईआरएफ4905
उन्नत प्रसंस्करण तकनीकों के साथ पांचवीं पीढ़ी का HEXFET® पावर MOSFET।
- चैनलों की संख्या: 1 चैनल
- ट्रांजिस्टर ध्रुवता: P-चैनल
- ड्रेन-सोर्स ब्रेकडाउन वोल्टेज (Vds): 55V
- निरंतर ड्रेन करंट (आईडी): 74A
- ड्रेन-सोर्स प्रतिरोध (Rds ऑन): 20mOhms
- गेट-सोर्स वोल्टेज (Vgs): 20V
- गेट चार्ज (Qg): 180 nC
- ऑपरेटिंग तापमान रेंज: -55 - 175°C
- बिजली अपव्यय (पीडी): 200W
शीर्ष विशेषताएं:
- उन्नत प्रक्रिया प्रौद्योगिकी
- अति निम्न ऑन-प्रतिरोध
- गतिशील dv/dt रेटिंग
- तेज़ स्विचिंग
IRF4905 को प्रति सिलिकॉन क्षेत्र में अत्यंत कम ऑन-प्रतिरोध और तेज़ स्विचिंग गति प्रदान करने के लिए डिज़ाइन किया गया है। अपने मज़बूत डिवाइस डिज़ाइन के साथ, यह विभिन्न अनुप्रयोगों के लिए अत्यधिक कुशल और विश्वसनीय है।
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*चित्र केवल चित्रण के लिए हैं; वास्तविक उत्पाद भिन्न हो सकता है।