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IRF3710 पावर MOSFET
विभिन्न अनुप्रयोगों के लिए एक कुशल और विश्वसनीय पावर MOSFET
- चैनलों की संख्या: 1 चैनल
- ट्रांजिस्टर ध्रुवता: एन-चैनल
- ड्रेन-सोर्स ब्रेकडाउन वोल्टेज (Vds): 100V
- निरंतर ड्रेन करंट (आईडी): 57A
- ड्रेन-सोर्स प्रतिरोध (Rds ऑन): 23mOhms
- गेट-सोर्स वोल्टेज (Vgs): 20V
- गेट चार्ज (Qg): 130 nC
- ऑपरेटिंग तापमान रेंज: -55 - 175°C
- बिजली अपव्यय (पीडी): 200W
विशेषताएँ:
- उन्नत प्रक्रिया प्रौद्योगिकी
- अति निम्न ऑन-प्रतिरोध
- गतिशील dv/dt रेटिंग
- तेज़ स्विचिंग
IRF3710 जैसे उन्नत HEXFET® पावर MOSFETs, सिलिकॉन के प्रति इकाई क्षेत्र में उल्लेखनीय रूप से कम ऑन-प्रतिरोध प्राप्त करने के लिए परिष्कृत तकनीकों का उपयोग करते हैं। अपनी तेज़ स्विचिंग गति और मज़बूत डिज़ाइन के साथ, ये पावर MOSFETs विभिन्न प्रकार के अनुप्रयोगों के लिए उच्च दक्षता और विश्वसनीयता प्रदान करते हैं।
अधिक जानकारी चाहिए या थोक मूल्य निर्धारण में रुचि है? हमारी बिक्री टीम से सीधे संपर्क करें - sales02@thansiv.com +91-8095406416
*चित्र केवल चित्रण के लिए हैं; वास्तविक उत्पाद भिन्न हो सकता है।