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IRF3415 HEXFET® पावर MOSFET
प्रति सिलिकॉन क्षेत्र कम ऑन-प्रतिरोध के साथ पांचवीं पीढ़ी का पावर MOSFET
- चैनलों की संख्या: 1 चैनल
- ट्रांजिस्टर ध्रुवता: एन-चैनल
- ड्रेन-सोर्स ब्रेकडाउन वोल्टेज (Vds): 150V
- निरंतर ड्रेन करंट (आईडी): 43A
- ड्रेन-सोर्स प्रतिरोध (Rds ऑन): 42mOhms
- गेट-सोर्स वोल्टेज (Vgs): 20V
- गेट चार्ज (Qg): 200 nC
- ऑपरेटिंग तापमान रेंज: -55 - 175°C
- बिजली अपव्यय (पीडी): 200W
विशेषताएँ:
- उन्नत प्रक्रिया प्रौद्योगिकी
- अति निम्न ऑन-प्रतिरोध
- गतिशील dv/dt रेटिंग
- तेज़ स्विचिंग
- पूरी तरह से हिमस्खलन रेटेड
IRF3415 पाँचवीं पीढ़ी का HEXFET® पावर MOSFET है जो प्रति सिलिकॉन क्षेत्र अत्यंत कम ऑन-प्रतिरोध प्राप्त करने के लिए उन्नत प्रसंस्करण तकनीकों का उपयोग करता है। यह लाभ, तेज़ स्विचिंग गति और मज़बूत डिवाइस डिज़ाइन के साथ, जिसके लिए HEXFET पावर MOSFETs प्रसिद्ध हैं, डिज़ाइनर को विभिन्न प्रकार के अनुप्रयोगों में उपयोग के लिए एक अत्यंत कुशल और विश्वसनीय उपकरण प्रदान करता है।
अधिक जानकारी या थोक मूल्य निर्धारण के लिए, हमारी बिक्री टीम से सीधे sales02@thansiv.com पर संपर्क करें या +91-8095406416 पर कॉल करें।
*चित्र केवल उदाहरण के लिए हैं; वास्तविक उत्पाद भिन्न हो सकता है।