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IRF2807 HEXFET® पावर MOSFET
उन्नत HEXFET® पावर MOSFET कम ऑन-प्रतिरोध और तेज स्विचिंग गति के साथ।
- चैनलों की संख्या: 1 चैनल
- ट्रांजिस्टर ध्रुवता: एन-चैनल
- ड्रेन-सोर्स ब्रेकडाउन वोल्टेज (Vds): 75V
- निरंतर ड्रेन करंट (आईडी): 82A
- ड्रेन-सोर्स प्रतिरोध (Rds ऑन): 13mOhms
- गेट-सोर्स वोल्टेज (Vgs): 20V
- गेट चार्ज (Qg): 160 nC
- ऑपरेटिंग तापमान रेंज: -55 - 175°C
- बिजली अपव्यय (पीडी): 230W
विशेषताएँ:
- उन्नत प्रक्रिया प्रौद्योगिकी
- अति निम्न ऑन-प्रतिरोध
- गतिशील dv/dt रेटिंग
- तेज़ स्विचिंग
IRF2807 एक उन्नत HEXFET® पावर MOSFET है जिसे उन्नत प्रसंस्करण तकनीकों का उपयोग करके डिज़ाइन किया गया है ताकि प्रति सिलिकॉन क्षेत्र में अत्यंत कम ऑन-प्रतिरोध प्राप्त किया जा सके। तेज़ स्विचिंग गति और मज़बूत डिवाइस डिज़ाइन के साथ, यह HEXFET पावर MOSFET को एक कुशल और विश्वसनीय उपकरण बनाता है जो विभिन्न प्रकार के अनुप्रयोगों के लिए उपयुक्त है।
अधिक जानकारी या थोक मूल्य निर्धारण के लिए, हमारी बिक्री टीम से सीधे sales02@thansiv.com पर संपर्क करें या +91-8095406416 पर कॉल करें।
चित्र केवल चित्रण के लिए हैं; वास्तविक उत्पाद भिन्न हो सकता है।