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IRF1404 सातवीं पीढ़ी का HEXFET® पावर MOSFET
ऑटोमोटिव अनुप्रयोगों में कुशल और विश्वसनीय ऊर्जा प्रबंधन के लिए उन्नत प्रौद्योगिकी।
- चैनलों की संख्या: 1 चैनल
- ट्रांजिस्टर ध्रुवता: एन-चैनल
- ड्रेन-सोर्स ब्रेकडाउन वोल्टेज (Vds): 40V
- निरंतर ड्रेन करंट (आईडी): 202A
- ड्रेन-सोर्स प्रतिरोध (Rds ऑन): 4mOhms
- गेट-सोर्स वोल्टेज (Vgs): 20V
- गेट चार्ज (Qg): 196 nC
- ऑपरेटिंग तापमान रेंज: -55°C से 175°C
- बिजली अपव्यय (पीडी): 333W
शीर्ष विशेषताएं:
- उन्नत प्रक्रिया प्रौद्योगिकी
- अति निम्न ऑन-प्रतिरोध
- गतिशील dv/dt रेटिंग
- तेज़ स्विचिंग
IRF1404 जैसे सातवीं पीढ़ी के HEXFET® पावर MOSFETs प्रति सिलिकॉन क्षेत्र में अत्यंत कम ऑन-प्रतिरोध प्राप्त करने के लिए उन्नत प्रसंस्करण तकनीकों का उपयोग करते हैं। यह लाभ, तेज़ स्विचिंग गति और मज़बूत उपकरण डिज़ाइन के साथ मिलकर, जिसके लिए HEXFET पावर MOSFETs सुप्रसिद्ध हैं, डिज़ाइनर को ऑटोमोटिव सहित विभिन्न प्रकार के अनुप्रयोगों में उपयोग के लिए एक अत्यंत कुशल और विश्वसनीय उपकरण प्रदान करता है।
IRF1404 ऑटोमोटिव योग्य (Q101) है और पूरी तरह से हिमस्खलन रेटेड है, जो इसे मांग वाले वातावरण में बिजली प्रबंधन के लिए एक बहुमुखी विकल्प बनाता है।
अधिक जानकारी या थोक मूल्य निर्धारण के लिए, हमारी बिक्री टीम से सीधे sales02@thansiv.com पर संपर्क करें या +91-8095406416 पर कॉल करें।
*चित्र केवल उदाहरण के लिए हैं; वास्तविक उत्पाद भिन्न हो सकता है।*