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IRF1010 उन्नत HEXFET® पावर MOSFET
विभिन्न अनुप्रयोगों के लिए एक कुशल और विश्वसनीय पावर MOSFET।
- चैनलों की संख्या: 1 चैनल
- ट्रांजिस्टर ध्रुवता: एन-चैनल
- ड्रेन-सोर्स ब्रेकडाउन वोल्टेज (Vds): 60V
- निरंतर ड्रेन करंट (आईडी): 84A
- ड्रेन-सोर्स प्रतिरोध (Rds ऑन): 12mOhms
- गेट-सोर्स वोल्टेज (Vgs): 20V
- गेट चार्ज (Qg): 130 nC
- ऑपरेटिंग तापमान रेंज: -55 - 150°C
- बिजली अपव्यय (पीडी): 200W
शीर्ष विशेषताएं:
- उन्नत प्रक्रिया प्रौद्योगिकी
- अति निम्न ऑन-प्रतिरोध
- गतिशील dv/dt रेटिंग
- तेज़ स्विचिंग
IRF1010 उन्नत HEXFET® पावर MOSFETs प्रति सिलिकॉन क्षेत्र में अत्यंत कम ऑन-प्रतिरोध प्राप्त करने के लिए उन्नत प्रसंस्करण तकनीकों का उपयोग करते हैं। यह लाभ, तेज़ स्विचिंग गति और मज़बूत डिवाइस डिज़ाइन के साथ मिलकर, जिसके लिए HEXFET पावर MOSFETs सुप्रसिद्ध हैं, डिज़ाइनर को विभिन्न प्रकार के अनुप्रयोगों में उपयोग के लिए एक अत्यंत कुशल और विश्वसनीय उपकरण प्रदान करता है।
संबंधित दस्तावेज़: IRF1010 MOSFET डेटाशीट
*चित्र केवल चित्रण के लिए हैं; वास्तविक उत्पाद भिन्न हो सकता है।