IR2101 उच्च वोल्टेज, उच्च गति पावर MOSFET और IGBT ड्राइवर
स्वतंत्र आउटपुट चैनल और मजबूत निर्माण के साथ उच्च वोल्टेज, उच्च गति ड्राइवर।
- VB-उच्च पक्ष फ्लोटिंग आपूर्ति वोल्टेज: -0.3 से 625 V
- वीएस-हाई साइड फ्लोटिंग सप्लाई ऑफसेट वोल्टेज: -25 से +0.3 V
- वीएचओ-हाई साइड फ्लोटिंग आउटपुट वोल्टेज: -0.3 से +0.3 वी
- वीसीसी-निम्न पक्ष और तर्क निश्चित आपूर्ति वोल्टेज: -0.3 से 25 वी
- वीएलओ-निम्न पक्ष आउटपुट वोल्टेज: -0.3 से वीसीसी+0.3 वी
- VIN-लॉजिक इनपुट वोल्टेज (HIN और LIN): -0.3 से VCC+0.3 V
- सीसा रहित: हाँ
शीर्ष विशेषताएं:
- बूटस्ट्रैप संचालन के लिए फ़्लोटिंग चैनल
- +600V तक परिचालन
- नकारात्मक क्षणिक वोल्टेज के प्रति सहनशील
- गेट ड्राइव आपूर्ति रेंज: 10 से 20V
IR2101 एक उच्च वोल्टेज, उच्च गति वाला पावर MOSFET और IGBT ड्राइवर है जिसमें स्वतंत्र उच्च और निम्न पार्श्व संदर्भित आउटपुट चैनल हैं। इसमें मज़बूत मोनोलिथिक निर्माण के लिए मालिकाना HVIC और लैच-प्रतिरोधी CMOS तकनीकें हैं। लॉजिक इनपुट 3.3V लॉजिक तक, मानक CMOS या LSTTL आउटपुट के साथ संगत है। आउटपुट ड्राइवरों में न्यूनतम ड्राइवर क्रॉस-कंडक्शन के लिए डिज़ाइन किया गया एक उच्च पल्स करंट बफर स्टेज शामिल है। फ्लोटिंग चैनल उच्च पार्श्व विन्यास में एक N-चैनल पावर MOSFET या IGBT को चला सकता है, जो 600 वोल्ट तक संचालित होता है।
IR2101 अंडरवोल्टेज लॉकआउट से भी लैस है और 3.3V, 5V, और 15V लॉजिक इनपुट के साथ संगत है। इसमें दोनों चैनलों के लिए समान प्रसार विलंब है और यह इनपुट (IR2101) के साथ फेज़ में या इनपुट (IR2102) के साथ फेज़ से बाहर आउटपुट प्रदान करता है।
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