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FDP090N10 एन-चैनल MOSFET
अनुकूलित प्रदर्शन के साथ उन्नत पावरट्रेंच® MOSFET
- चैनलों की संख्या: 1 चैनल
- ट्रांजिस्टर ध्रुवता: एन-चैनल
- ड्रेन-सोर्स ब्रेकडाउन वोल्टेज (Vds): 100V
- निरंतर ड्रेन करंट (आईडी): 75A
- ड्रेन-सोर्स प्रतिरोध (Rds ऑन): 9mOhms
- गेट-सोर्स वोल्टेज (Vgs): 20V
- गेट चार्ज (Qg): 116 nC
- ऑपरेटिंग तापमान रेंज: -55 - 175°C
- बिजली अपव्यय (पीडी): 208W
प्रमुख विशेषताऐं:
- कम ऑफसेट वोल्टेज
- पूर्ण-वोल्टेज संचालन
- तेज़ स्विचिंग गति
- कम त्रुटि वोल्टेज
FDP090N10 N-चैनल MOSFET उन्नत पावरट्रेंच® प्रक्रिया का उपयोग करके निर्मित किया गया है, जिसे ऑन-स्टेट प्रतिरोध को न्यूनतम करने और उत्कृष्ट स्विचिंग प्रदर्शन सुनिश्चित करने के लिए डिज़ाइन किया गया है। इसकी तकनीक चालन हानि को न्यूनतम करती है, उत्कृष्ट स्विचिंग प्रदर्शन प्रदान करती है, और अत्यधिक dv/dt दर और उच्च हिमस्खलन ऊर्जा का सामना कर सकती है। स्विचिंग मोड संचालन में AC/DC पावर रूपांतरण के लिए आदर्श, जिससे सिस्टम का लघुकरण और उच्च दक्षता प्राप्त होती है।
अधिक जानकारी या थोक मूल्य निर्धारण के लिए, हमारी बिक्री टीम से sales02@thansiv.com या +91-8095406416 पर संपर्क करें।
चित्र केवल चित्रण के लिए हैं; वास्तविक उत्पाद भिन्न हो सकता है।