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FDN357P MOSFET - (SMD SOT-23 पैकेज) - 30V 1.9A P-चैनल लॉजिक लेवल एन्हांसमेंट मोड MOSFET
निम्न वोल्टेज अनुप्रयोगों के लिए उच्च घनत्व वाले पावर फील्ड प्रभाव ट्रांजिस्टर।
- ड्रेन-सोर्स वोल्टेज: -30V
- गेट-सोर्स वोल्टेज: ±20V
- ड्रेन करंट – निरंतर: -1.9A
- ड्रेन करंट – स्पंदित: -10A
- अधिकतम शक्ति अपव्यय: 0.5-0.46W
- संचालन और भंडारण जंक्शन तापमान सीमा: -55 से +150°C
- पैकेज में शामिल हैं: 1 x FDN357P MOSFET - (SMD SOT-23 पैकेज) - 30V 1.9A P-चैनल लॉजिक लेवल एन्हांसमेंट मोड MOSFET
विशेषताएँ:
- 1.9 A, -30 V RDS(ON) = 0.090? @ VGS = -4.5V RDS(ON) = 0.060? @ VGS = -10V
- उद्योग मानक रूपरेखा SOT-23 सतह माउंट पैकेज
- बेहतर तापीय और विद्युत क्षमताओं के लिए स्वामित्व सुपर एसओटी-23 डिज़ाइन
- अत्यंत कम RDS(ON) के लिए उच्च घनत्व सेल डिज़ाइन
सुपर एसओटी-23 पी-चैनल लॉजिक लेवल एन्हांसमेंट मोड पावर फील्ड इफेक्ट ट्रांजिस्टर उच्च सेल घनत्व का उपयोग करके बनाए जाते हैं। यह अत्यधिक उच्च घनत्व प्रक्रिया विशेष रूप से ऑन-स्टेट प्रतिरोध को न्यूनतम करने के लिए डिज़ाइन की गई है। ये उपकरण नोटबुक कंप्यूटर, पोर्टेबल फ़ोन, पीसीएमसीआईए कार्ड और अन्य बैटरी चालित सर्किट में कम वोल्टेज अनुप्रयोगों के लिए विशेष रूप से उपयुक्त हैं, जहाँ बहुत छोटे आउटलाइन सरफेस माउंट पैकेज में तेज़ स्विचिंग और कम इन-लाइन पावर लॉस की आवश्यकता होती है।
अधिक जानकारी चाहिए या थोक मूल्य निर्धारण में रुचि है? हमारी बिक्री टीम से सीधे संपर्क करें - sales02@thansiv.com +91-8095406416
चित्र केवल चित्रण के लिए हैं; वास्तविक उत्पाद भिन्न हो सकता है।